單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)體(tǐ)積小(xiǎo)、容量大、結構堅固、電(diàn)氣性能(néng)穩定、可(kě)靠性高等特點，被廣泛應用(yòng)于電(diàn)子、雷達、導航、衛星通訊等。而單層芯片電(diàn)容的晶界層陶瓷材料是一類利用(yòng)特殊的顯微結構即晶粒半導化、晶界絕緣化而形成的高性能(néng)陶瓷材料。由于晶界層陶瓷材料具(jù)有(yǒu)高介電(diàn)常數及良好溫度特性而被應用(yòng)于單層芯片電(diàn)容中(zhōng)，但是單層芯片電(diàn)容尺寸比較小(xiǎo)，切割精(jīng)度的要求十分(fēn)苛刻，特别是晶界層材料晶界間的粘附性較弱，傳統單層芯片電(diàn)容的切割工(gōng)藝會使晶格從陶瓷表面脫落，易産(chǎn)生崩瓷現象，所以一般會使用(yòng)非常昂貴精(jīng)密的進口切割設備及進口刀(dāo)具(jù)，生産(chǎn)成本較高。

為(wèi)了解決晶界層陶瓷切割過程中(zhōng)會出現崩瓷的問題，廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司推薦一種單層芯片電(diàn)容的切割方法，可(kě)極大提高産(chǎn)品合格率及切割質(zhì)量。具(jù)體(tǐ)工(gōng)藝步驟如下：

一、将帶有(yǒu)電(diàn)極圖形的單層芯片電(diàn)容上表面貼加保護膜或塗保護漆，厚度為(wèi)0.1μm，放入真空烘箱内烘幹，時間為(wèi)30mins，溫度為(wèi)150℃；

二、使用(yòng)自動貼膜機将單層芯片電(diàn)容貼于切割專用(yòng)膜上，切割專用(yòng)膜的粘度為(wèi)5N/10mm，厚度為(wèi)0.1mm；

三、使用(yòng)自動切割機，放入待切割的單層芯片電(diàn)容，切割步數為(wèi)3步切割：

第1步切割高度設為(wèi)0.05mm，切割速度為(wèi)1mm/s，主軸轉速為(wèi)20000rpm；

第2步切割高度設為(wèi)0.1mm，切割速度為(wèi)2mm/s，主軸轉速為(wèi)30000rpm；

第3步切割高度為(wèi)0.23mm，切割速度為(wèi)2mm/s，主軸轉速為(wèi)35000rpm；


四、切割完畢的單層芯片電(diàn)容放入自動清洗機，采用(yòng)二流體(tǐ)清洗，清洗去除芯片電(diàn)容的保護膜或保護漆及切割的殘留粉末等雜質(zhì)，然後用(yòng)氮氣槍吹幹；

五、将單層芯片電(diàn)容移至自動解膜機，解除切割膜的粘性，進行分(fēn)選測試。

與現有(yǒu)技(jì )術相比，該制備方法有(yǒu)以下優點:

1、通過對切割工(gōng)藝的改進，可(kě)整齊地切斷晶界層陶瓷材料的晶格，不産(chǎn)生崩瓷現象，可(kě)以切割出邊緣整齊、表面完好的單層芯片電(diàn)容；

2、極大地提高産(chǎn)品合格率及切割質(zhì)量，同時克服使用(yòng)進口設備和刀(dāo)具(jù)帶來的成本問題，降低生産(chǎn)成本，适用(yòng)于工(gōng)業化生産(chǎn)。





參考數據：

CN110228140A《一種單層片式晶界層陶瓷電(diàn)容器的切割方法》