單層芯片電(diàn)容的優良微波頻率、高介電(diàn)常數，使其被廣泛應用(yòng)于微波器件、射頻器件、LED等需要微組裝(zhuāng)工(gōng)藝的電(diàn)子設備中(zhōng)。常規的單層芯片電(diàn)容為(wèi)獲取高介電(diàn)常數，其瓷體(tǐ)晶粒必須≥30μm，這就容易導緻高溫高濕環境下，水汽容易吸附在側壁晶界上，導緻單層芯片電(diàn)容絕緣電(diàn)阻下降。

針對現有(yǒu)技(jì )術的不足，廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司介紹一款單層芯片電(diàn)容，其性能(néng)優良，解決了單層芯片電(diàn)容在高溫高濕環境下絕緣電(diàn)阻下降的問題。這款單層芯片電(diàn)容晶界層的材料配比為(wèi)TiO2 60~65％、SrCO3 33~39％、La2O3 0.2~2.5％，配方中(zhōng)還包括添加劑，所述添加劑為(wèi)Ta2O3、Nb2O3、Al2O3、SiO2、MnCO3或CuO中(zhōng)的一種或兩種以上組成。具(jù)體(tǐ)的制備方法如下：

一、将材料按百分(fēn)比配好後加入去離子水進行混合10~20小(xiǎo)時，然後烘幹、粉碎；

二、将粉碎好的材料在1200℃~1300℃下煅燒2~3小(xiǎo)時，然後粉碎過篩； 

三、将過篩後的材料加入添加劑，其比重占總重量的0.1~1.5%，混合10~20小(xiǎo)時後進行流延成膜；

四、将膜片在空氣中(zhōng)，500℃~1200℃下排膠10~40小(xiǎo)時；然後在7％~15％氫含量的氫氮混合氣中(zhōng)1400℃~1450℃下還原2~3小(xiǎo)時；最後在燒結片上塗覆氧化劑，在空氣氣氛中(zhōng)750~℃1200℃下氧化20~180分(fēn)鍾，得到燒結後的單層芯片電(diàn)容用(yòng)基片；

五、将基片進行清洗和濺射钛鎢、鎳、金，然後電(diàn)鍍金，得到金屬化基片；

六、将金屬化基片進行切割，得到所需要大小(xiǎo)的小(xiǎo)基片；

七、将切割好的小(xiǎo)基片用(yòng)離心機甩幹，然後放入烘箱中(zhōng)在150℃~250℃的溫度下進行固化處理(lǐ)，得到單層芯片電(diàn)容。





參考資料：

CN102320827B《單層電(diàn)容器晶界層材料、基片的制作(zuò)方法、以及單層電(diàn)容器的方法》