最原始的電(diàn)容器是1745年荷蘭萊頓大學(xué)P.穆森布羅克發明的萊頓瓶，它是玻璃電(diàn)容器的雛形。1874年德(dé)國(guó)M.鮑爾發明雲母電(diàn)容器。1876年英國(guó)D.斐茨傑拉德(dé)發明紙介電(diàn)容器。1900年意大利L.隆巴迪發明瓷介電(diàn)容器，30年代人們發現在陶瓷中(zhōng)添加钛酸鹽可(kě)使介電(diàn)常數成倍增長(cháng)，因而制造出較便宜的瓷介電(diàn)容器。1921年出現液體(tǐ)鋁電(diàn)解電(diàn)容器，1938年前後改進為(wèi)由多(duō)孔紙浸漬電(diàn)糊的幹式鋁電(diàn)解電(diàn)容器。1949年出現液體(tǐ)燒結钽電(diàn)解電(diàn)容器，1956年制成固體(tǐ)燒結钽電(diàn)解電(diàn)容器。50年代初，晶體(tǐ)管發明後，元件向小(xiǎo)型化方向發展。随着混合集成電(diàn)路的發展，又(yòu)出現了無引線(xiàn)的超小(xiǎo)型片狀電(diàn)容器和其他(tā)外貼電(diàn)容器。20世紀70年代，随着激光的發明，用(yòng)電(diàn)容器為(wèi)激光武器供電(diàn)成為(wèi)人們的設想，超級電(diàn)容應運而生。
在電(diàn)子線(xiàn)路中(zhōng)，電(diàn)容用(yòng)來通過交流而阻隔直流，也用(yòng)來存儲和釋放電(diàn)荷以充當濾波器，平滑輸出脈動信号。一般1μF以上的電(diàn)容均為(wèi)電(diàn)解電(diàn)容，而1μF以下的電(diàn)容多(duō)為(wèi)瓷片電(diàn)容。大容量的電(diàn)容往往是作(zuò)濾波和存儲電(diàn)荷用(yòng)。小(xiǎo)容量的電(diàn)容，通常在高頻電(diàn)路中(zhōng)使用(yòng)，如收音機、發射機和振蕩器中(zhōng)。
随着移動互聯網和物(wù)聯網的發展，無線(xiàn)數據流量呈爆炸式增長(cháng)，這種海量的數據業務(wù)需求，不僅依賴于更先進的無線(xiàn)傳輸技(jì )術的演進，也需要更多(duō)的頻譜資源的支持。目前，主流移動通信系統使用(yòng)的頻段主要是6G以下的VHF/UHF頻段，然而，這些低頻段現在已經很(hěn)難找到連續可(kě)用(yòng)的寬帶頻譜資源。因此，頻譜向高頻段拓展，發展高頻段無線(xiàn)通信已成為(wèi)業界趨勢。
電(diàn)容器在高頻應用(yòng)時，自諧振頻率不僅與其自身的寄生電(diàn)感有(yǒu)關，而且還與PCB上過孔的寄生電(diàn)感、電(diàn)容器與其它元件（如芯片）的連接導線(xiàn)（包括印制導線(xiàn)）的寄生電(diàn)感等都有(yǒu)關系。低頻情況下，這些寄生參數很(hěn)小(xiǎo)，可(kě)以忽略不計。當工(gōng)作(zuò)頻率進入射頻/微波範圍内時，情況就大不相同。金屬導線(xiàn)不僅具(jù)有(yǒu)自身的電(diàn)阻和電(diàn)感或電(diàn)容，而且還是頻率的函數。在高頻電(diàn)路工(gōng)作(zuò)時，金屬損耗占的損耗比例會很(hěn)高，而在所有(yǒu)射頻/微波電(diàn)路設計中(zhōng)，選用(yòng)低損耗（超低ESR）電(diàn)容都是一項重要考慮。
由于目前的集成元件技(jì )術無法做出容量較大的電(diàn)容器，用(yòng)現有(yǒu)的技(jì )術通過集成電(diàn)路獲得較大的電(diàn)容非常困難。用(yòng)于微波電(diàn)路的芯片電(diàn)容采用(yòng)溫度系數接近于零而微波損耗極小(xiǎo)的微波介質(zhì)陶瓷作(zuò)為(wèi)介質(zhì)層，該類電(diàn)容器剩餘電(diàn)感小(xiǎo)、 Q 值大、自諧振頻率高。将該電(diàn)容與其它元件組合在一個封裝(zhuāng)内，不僅實現多(duō)功能(néng)，而且節省PCB 面積、使用(yòng)方便，更重要的是最大限度地縮短電(diàn)容器與芯片之間的距離，從而布線(xiàn)的寄生電(diàn)感減小(xiǎo)了。微型化的片式微波單層瓷介電(diàn)容器（SLC） 展示了良好的發展前景。
