單層芯片電(diàn)容被廣泛應用(yòng)于微波通訊、微波功率放大器、微波集成電(diàn)路等，起到隔直通交、RF旁路、濾波、調諧等作(zuò)用(yòng)。現有(yǒu)的單層芯片電(diàn)容的制備工(gōng)藝為(wèi)：陶瓷粉料配料→球磨→等靜壓成型→燒結陶瓷錠→切片→絲網印刷法印刷銀漿→烘幹→燒銀→劃切。然而，使用(yòng)銀電(diàn)極和采用(yòng)絲網印刷法存在以下幾個問題：

一、銀漿在絲網印刷和烘幹過程中(zhōng)容易受到污染，且得到的銀電(diàn)極容易氧化、發黃發黑，造成産(chǎn)品的穩定性和可(kě)靠性較差；

二、前期制備銀漿和後期烘幹銀漿、燒結銀電(diàn)極的工(gōng)序較為(wèi)繁瑣；

三、印刷制得的銀電(diàn)極層厚度較大且在陶瓷基片的表面上覆蓋不均勻，在劃切過程中(zhōng)容易起皮和産(chǎn)生毛刺，銀漿材料損耗較多(duō)；

四、銀層在高溫燒結時會重新(xīn)結晶，晶型改變從而性能(néng)發生改變，造成産(chǎn)品電(diàn)氣性能(néng)下降；

五、在高溫燒銀過程中(zhōng)排放的氣體(tǐ)對環境造成污染。

為(wèi)解決上述問題，廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司介紹一款高可(kě)靠Ir-Cu-Au複合電(diàn)極單層芯片電(diàn)容，其具(jù)有(yǒu)穩定性好、可(kě)靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊等優點。具(jù)體(tǐ)制備方法如下：

1）制備陶瓷基材

按常規單層芯片電(diàn)容陶瓷配方配得陶瓷粉末，再對陶瓷粉末進行球磨、等靜壓成型、燒結、切片，得到片狀的陶瓷基材。

2）一次清洗

使用(yòng)清洗液處理(lǐ)陶瓷基材，再使用(yòng)超聲波機清洗，清洗時間為(wèi)5±1分(fēn)鍾，然後烘幹，烘幹溫度為(wèi)100±5℃，烘幹時間為(wèi)30±5分(fēn)鍾。

3）二次清洗

将一次清洗得到的陶瓷基材放到等離子清洗機中(zhōng)進行二次清洗，清洗時間為(wèi)5±1分(fēn)鍾，烘幹溫度為(wèi)100±5℃，烘幹時間為(wèi)30±5分(fēn)鍾，同時活化表面。

4）濺射銥層

先将真空濺射鍍膜機抽真空到工(gōng)藝範圍，再充入氩氣作(zuò)為(wèi)工(gōng)作(zuò)氣體(tǐ)，以銥作(zuò)為(wèi)靶材，在電(diàn)場作(zuò)用(yòng)下，Ar+加速轟擊靶材，将靶材原子濺射到陶瓷基材上，在陶瓷基材的兩表面上分(fēn)别濺射一層銥層，濺射厚度為(wèi)0.01~2微米。

5）濺射銅層

先将真空濺射鍍膜機抽真空到工(gōng)藝範圍，再充入氩氣作(zuò)為(wèi)工(gōng)作(zuò)氣體(tǐ)，以銅作(zuò)為(wèi)靶材，在電(diàn)場作(zuò)用(yòng)下，Ar+加速轟擊靶材，将靶材原子濺射到陶瓷基材上，在陶瓷基材兩表面的銥層表面上分(fēn)别濺射一層銅層，濺射厚度為(wèi)0.01~2微米。

6）濺射金層

先将真空濺射鍍膜機抽真空到工(gōng)藝範圍，再充入氩氣作(zuò)為(wèi)工(gōng)作(zuò)氣體(tǐ)，以金作(zuò)為(wèi)靶材，在電(diàn)場作(zuò)用(yòng)下，Ar+加速轟擊靶材，将靶材原子濺射到陶瓷基材上，在陶瓷基材兩表面的銅層表面上分(fēn)别濺射一層金層，濺射厚度為(wèi)0.01~1微米。

7）對陶瓷基材進行劃切，得到單層芯片電(diàn)容。





參考數據：

CN111180203A《一種高精(jīng)度高可(kě)靠Ir-Cu-Au複合電(diàn)極芯片電(diàn)容》