常規的SLC單層芯片電(diàn)容在組裝(zhuāng)到PCB闆過程中(zhōng)，若沒有(yǒu)足夠的結構強度便容易産(chǎn)生裂紋、剝落等情況。但是通過現有(yǒu)的制造工(gōng)藝生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容，增加陶瓷體(tǐ)的厚度以獲取更大的結構強度，則難以保證電(diàn)容值。

該怎麽在保持大電(diàn)容值的前提下得到高結構強度呢(ne)？愛晟電(diàn)子推薦一款在保持原有(yǒu)尺寸同時，保證高電(diàn)容值以及高結構強度的單層芯片電(diàn)容。這款芯片電(diàn)容将電(diàn)極定位于陶瓷介質(zhì)材料的各個層之間，以此構建一個或多(duō)個内部電(diàn)極，該陶瓷介質(zhì)材料可(kě)以是Ⅰ類、Ⅱ類、Ⅲ類瓷介材料或其它任何适用(yòng)于制造單層芯片電(diàn)容的材料。其中(zhōng)，陶瓷介質(zhì)層至少有(yǒu)一個内部埋入電(diàn)極，且延伸至整個面，與位于四個側面的至少一部分(fēn)及整個下表面的金屬層電(diàn)接觸；同時，至少有(yǒu)一個電(diàn)隔離的金屬化墊位于陶瓷體(tǐ)的上表面且電(diàn)隔離于陶瓷介質(zhì)層内部的所有(yǒu)電(diàn)極。電(diàn)隔離的金屬化墊與内部電(diàn)極的主表面平行，僅在陶瓷介質(zhì)層的上表面形成。

按這種制備方法生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容，其電(diàn)容值的範圍更寬，且保持高結構強度。允許定制電(diàn)容值的同時，還利用(yòng)薄陶瓷介質(zhì)層在不犧牲結構強度的情況下提供高電(diàn)容值。