單層芯片電(diàn)容是适應電(diàn)子元件高頻化、高集成化、微型化、低功耗和高可(kě)靠性的要求而發展起來的陶瓷片式電(diàn)容。與多(duō)層陶瓷電(diàn)容相比，單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)更少的電(diàn)極層，而且采用(yòng)濺射金屬作(zuò)為(wèi)外電(diàn)極的電(diàn)極結構，因此在高頻、微波下具(jù)有(yǒu)更低的等效串聯電(diàn)阻、更高的品質(zhì)因數及更高的可(kě)靠性。單層芯片電(diàn)容适合于微波集成電(diàn)路和大規模微波集成電(diàn)路組裝(zhuāng)，其抗靜電(diàn)放電(diàn)良好，可(kě)通過金絲鍵合等方法與電(diàn)路基闆連接，也适用(yòng)于二次組裝(zhuāng)，如安(ān)裝(zhuāng)在集成電(diàn)路芯片上。

愛晟電(diàn)子今天為(wèi)大家介紹的這款單層芯片電(diàn)容，适用(yòng)于通用(yòng)的表面貼裝(zhuāng)工(gōng)藝技(jì )術，表面貼裝(zhuāng)時不需Au-Sn底焊及金絲焊接，可(kě)降低組裝(zhuāng)成本，适于大批量生産(chǎn)。該單層芯片電(diàn)容包括單層陶瓷介質(zhì)、上電(diàn)極及下電(diàn)極。其中(zhōng)，上、下電(diàn)極分(fēn)别附着在陶瓷介質(zhì)相對的兩個表面；下電(diàn)極分(fēn)為(wèi)兩個，它們之間留有(yǒu)電(diàn)極間隙，其制造方法具(jù)體(tǐ)如下：

一、通過印刷或濺射工(gōng)藝，在陶瓷介質(zhì)基片的上、下表面分(fēn)别附着上、下金屬電(diàn)極；

二、根據産(chǎn)品電(diàn)極尺寸、下電(diàn)極間隙、切割縫位置及尺寸設計電(diàn)極圖形，在基片上通過光刻、噴砂或激光刻蝕工(gōng)藝，使基片上、下電(diàn)極分(fēn)别形成預先設計的圖形；

三、将基片按産(chǎn)品尺寸的圖形進行切割；

四、将經過切割的基片進行清洗，即得到單層芯片電(diàn)容。

這款适合表面貼裝(zhuāng)、寬帶射頻用(yòng)的單層芯片電(diàn)容，不僅适用(yòng)于高端産(chǎn)品，而且還适用(yòng)于如GPS、移動通信關聯的射頻/微波設備等等中(zhōng)端産(chǎn)品。





參考數據：

CN1832067A《表面貼裝(zhuāng)型寬帶微波單層片式電(diàn)容器及其制造方法》