常規的單層芯片電(diàn)容其結構為(wèi)陶瓷介質(zhì)層的上、下表面分(fēn)别印刷金屬電(diàn)極，形成普通平行闆電(diàn)容的結構，從而獲得相應電(diàn)容量。該結構由于受到電(diàn)容尺寸以及陶瓷材料的介電(diàn)特性（包括介電(diàn)常數、溫度特性等）的限制，當其外形尺寸和采用(yòng)的陶瓷材料确定時，其電(diàn)容量也就固定了。因此，很(hěn)多(duō)應用(yòng)場景受限于裝(zhuāng)配空間，芯片電(diàn)容的外形尺寸已固定，如采用(yòng)常規單層芯片電(diàn)容，就容易出現實際電(diàn)容量小(xiǎo)于應用(yòng)所要求的電(diàn)容量。

為(wèi)了解決上述問題，愛晟電(diàn)子為(wèi)大家介紹一款既能(néng)滿足外形尺寸要求，又(yòu)能(néng)有(yǒu)效增大電(diàn)容容量的單層芯片電(diàn)容，其電(diàn)容量遠(yuǎn)高于具(jù)有(yǒu)相同陶瓷材料及外形尺寸的常規單層芯片電(diàn)容。該芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)内部互連結構，包括陶瓷介質(zhì)層、内電(diàn)極以及外電(diàn)極。其中(zhōng)，陶瓷介質(zhì)層内含有(yǒu)兩個相對設立的内電(diàn)極，上、下表面設有(yǒu)外電(diàn)極；外電(diàn)極通過設在陶瓷介質(zhì)層上的互連孔與内電(diàn)極電(diàn)氣互連。其制備方法具(jù)體(tǐ)如下：

一、陶瓷材料生坯在流延後經過疊片、預壓，分(fēn)别制得上層陶瓷基片、下層陶瓷基片和中(zhōng)部陶瓷基片；

二、上層陶瓷基片和下層陶瓷基片表面覆蓋藍膜，分(fēn)别對其進行打孔處理(lǐ)，得到貫通的互連孔；中(zhōng)部陶瓷基片進行打孔處理(lǐ)，得到定位孔，然後對上層陶瓷基片和下層陶瓷基片的互連孔進行金屬化填孔，并去除藍膜；

三、分(fēn)别在上層陶瓷基片和下層陶瓷基片的一面印刷内電(diàn)極；

四、将下層陶瓷基片放置在下層壓闆上，按順序在下層陶瓷基片上疊放中(zhōng)部陶瓷基片、上層陶瓷基片、上層壓闆，疊放時印刷有(yǒu)内電(diàn)極的一面朝内，然後進行層壓處理(lǐ)，層壓後對制品進行燒結得到陶瓷介質(zhì)層；

五、采用(yòng)濺射或塗覆工(gōng)藝在陶瓷介質(zhì)層上、下表面分(fēn)别印刷金屬電(diàn)極，得到具(jù)有(yǒu)内部互連結構的單層芯片電(diàn)容。

這款SLC單層芯片電(diàn)容增加了内電(diàn)極，因間距小(xiǎo)從而可(kě)得到大電(diàn)容量的芯片電(diàn)容。通過上、下陶瓷介質(zhì)層中(zhōng)的互連孔實現内外電(diàn)極的電(diàn)氣連接，從而保證了電(diàn)容的外形尺寸。相比如常規單層芯片電(diàn)容，該芯片電(diàn)容的設計結構簡單，可(kě)靠性高，産(chǎn)品性能(néng)優越。





參考數據：

CN103515093A《一種具(jù)有(yǒu)内部互連結構的片式電(diàn)容及其制備方法》