随着電(diàn)子系統的持續發展，其對于可(kě)靠性、微型化、集成度等方面的要求也越來越高。而在電(diàn)子系統中(zhōng)起到濾波、隔直流、調諧、射頻旁路等作(zuò)用(yòng)的SLC單層芯片電(diàn)容，其在适應電(diàn)子系統上述要求的同時，還具(jù)有(yǒu)低損耗、優良介電(diàn)性能(néng)等特點，可(kě)适用(yòng)于多(duō)種特殊應用(yòng)場景（如微波、毫米波等）。常規的單層芯片電(diàn)容，其産(chǎn)品外形一般為(wèi)正方體(tǐ)或長(cháng)方體(tǐ)。由于其尺寸小(xiǎo)且靈活多(duō)變，在微波頻率條件下使用(yòng)時，可(kě)通過電(diàn)極闆的結構設計實現特定應用(yòng)功能(néng)。正是因為(wèi)單層芯片電(diàn)容的這一特點，也使它在各種無源元件中(zhōng)占據優勢地位。

根據目前單層芯片電(diàn)容的應用(yòng)前景，各大廠商(shāng)對于其性能(néng)要求更高。愛晟電(diàn)子今天介紹一種單層芯片電(diàn)容加工(gōng)工(gōng)藝，相較于以往的加工(gōng)技(jì )術能(néng)得到介電(diàn)性能(néng)更好、寄生效應更小(xiǎo)、應用(yòng)頻率更高的SLC單層芯片電(diàn)容。其具(jù)體(tǐ)工(gōng)藝步驟如下：

一、對陶瓷基片進行抛光；

二、均勻地将光刻膠分(fēn)布于陶瓷基片上；

三、烘幹陶瓷基片，該過程需注意光刻膠要全部烘幹；

四、光刻：該過程需注意曝光區(qū)域的光刻膠要在顯影後全部溶解；而未曝光區(qū)域的光刻膠，其形成需保持翹、陡、高且沒有(yǒu)側蝕現象；顯影後烘幹陶瓷基片；

五、采用(yòng)濺射工(gōng)藝在陶瓷基片上表面濺射金屬電(diàn)極，該過程需控制濺射厚度不超過光刻膠厚度的；

六、采用(yòng)剝離工(gōng)藝将基片上表面的光刻膠以及相應金屬電(diàn)極剝離，以保證沉積于基片上的金屬電(diàn)極保持附着，而沉積于光刻膠上的金屬電(diàn)極則被剝離，并采用(yòng)有(yǒu)機溶劑将殘餘光刻膠溶解；

七、采用(yòng)濺射工(gōng)藝在陶瓷基片下表面濺射金屬電(diàn)極；

八、根據需求切割陶瓷基片，得到SLC單層芯片電(diàn)容。

廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司研發、量産(chǎn)的SLC單層芯片電(diàn)容，具(jù)有(yǒu)尺寸小(xiǎo)、等效串聯低、容量大等特點，能(néng)滿足各種不同基闆條件對于芯片電(diàn)容的要求。





參考數據：

《陶瓷基單層電(diàn)容器（SLC）陣列設計與加工(gōng)工(gōng)藝實驗研究》