廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司研發、生産(chǎn)的SLC單層芯片電(diàn)容因其尺寸小(xiǎo)、厚度薄、無引線(xiàn)的特點，适合高密度的表面貼裝(zhuāng)，在微波集成電(diàn)路中(zhōng)起到隔直流、濾波、調諧等作(zuò)用(yòng)。然而，在常規技(jì )術中(zhōng)由于單層芯片電(diàn)容尺寸小(xiǎo)，在全自動表面貼裝(zhuāng)中(zhōng)往往難以操作(zuò)。借助工(gōng)具(jù)進行貼裝(zhuāng)（如顯微鏡）則會增加成本，并且需要保證能(néng)準确貼裝(zhuāng)，否則還會導緻短路情況的發生。

為(wèi)了解決上述技(jì )術問題，推薦一款适合表面貼裝(zhuāng)的SLC單層芯片電(diàn)容，其具(jù)有(yǒu)良好結構強度、簡單工(gōng)藝、高性價比等特點，并能(néng)通過其薄介電(diàn)層提供高電(diàn)容值。這款芯片電(diàn)容首先是将生坯狀态的陶瓷基片兩側金屬化，并放置于一對生坯狀态的複合金屬/陶瓷基片之間；通過等靜壓機将它們層壓在一起，然後通過燒結得到單層芯片電(diàn)容陶瓷基片。

其中(zhōng)，中(zhōng)心電(diàn)介質(zhì)層上的金屬層，即内部電(diàn)極的覆蓋面積小(xiǎo)于中(zhōng)心電(diàn)介質(zhì)層的整個區(qū)域，延伸至中(zhōng)心電(diàn)介質(zhì)層的其中(zhōng)兩個相對邊緣，而不超過其它兩個相對邊緣。另外，陶瓷電(diàn)介質(zhì)層和複合材料端部的陶瓷部分(fēn)在金屬化不足的邊緣燒結在一起，由于本質(zhì)上是整體(tǐ)結構，從而增加了對于單層芯片電(diàn)容的結構支撐。值得注意的是，複合材料端部包含導電(diàn)金屬，中(zhōng)心電(diàn)介電(diàn)層不包含金屬，因此複合材料中(zhōng)的金屬會優先鍍覆複合材料端部，而中(zhōng)心電(diàn)介電(diàn)層的純陶瓷則不會被鍍覆。由此而得到的單層芯片電(diàn)容基本上是一個整體(tǐ)結構，這意味着它是由固體(tǐ)結構的材料燒結而成，從而消除了結構内部的邊界、接口等，且不包含環氧樹脂、膠水、焊料等。在整個生産(chǎn)過程中(zhōng)，唯一的組裝(zhuāng)步驟發生在生坯狀态。而且這款單層芯片電(diàn)容的導電(diàn)金屬可(kě)以是Ag、AgNO3或AgCO3，另外也可(kě)以使用(yòng)Cu、Ni及其合金，但這些金屬通常需要還原氣氛。Pd、Pt、Au及其合金也可(kě)以使用(yòng)，但這些金屬通常比Ag基體(tǐ)系更昂貴。而陶瓷材料采用(yòng)的是超低溫燒結陶瓷材料，用(yòng)于複合材料的導電(diàn)金屬部分(fēn)，其燒結溫度一般為(wèi)800℃左右。這個溫度點可(kě)使超低溫燒結陶瓷材料将與金屬部分(fēn)最相容，需要注意的是，陶瓷材料必須在金屬熔點以下進行燒結。

這款适合表面貼裝(zhuāng)的單層芯片電(diàn)容，其結構完整性更有(yǒu)利于自身向小(xiǎo)型化發展，而且其良好的結構強度、簡單的工(gōng)藝過程，也能(néng)為(wèi)客戶提供範圍更廣的電(diàn)容值。





參考數據：

US6969647B2《Method of making single layer capacitor》