常規的SLC單層芯片電(diàn)容包括電(diàn)容陶瓷基片、上表面電(diàn)極和下表面電(diàn)極，上表面電(diàn)極和下表面電(diàn)極分(fēn)别置于電(diàn)容陶瓷基片的兩表面上，上表面電(diàn)極和下表面電(diàn)極都采用(yòng)同一種金屬電(diàn)極制作(zuò)，例如都采用(yòng)銀漿或都采用(yòng)金漿制作(zuò)。由于SLC單層芯片電(diàn)容的電(diàn)容陶瓷基片、上表面電(diàn)極和下表面電(diàn)極都是經過800℃以上溫度燒結而成的，因此芯片電(diàn)容實際使用(yòng)時的耐溫性能(néng)，通常是由其與應用(yòng)的電(diàn)路模塊之間的焊接材料的耐溫性能(néng)決定的。

常規的芯片電(diàn)容邦定工(gōng)藝，是用(yòng)低溫銀膠将芯片電(diàn)容的下表面電(diàn)極貼于電(diàn)路闆上，并用(yòng)打鋁線(xiàn)、銅線(xiàn)或者金線(xiàn)方式将芯片電(diàn)容的上表面電(diàn)極與電(diàn)路闆上的焊盤連接起來。由于低溫銀膠的固化溫度在100℃左右，固化後的銀膠耐溫溫度不超過150℃，所以現有(yǒu)的芯片電(diàn)容的耐溫溫度也不超過150℃，不能(néng)适應溫度較高的工(gōng)作(zuò)環境。而錫膏回流焊工(gōng)藝常用(yòng)于焊接SMT貼片線(xiàn)路闆，具(jù)有(yǒu)準确性高、高效、穩定可(kě)靠的優點。且與低溫銀膠相比，錫膏回流焊工(gōng)藝焊錫的耐溫溫度可(kě)達260℃，因此錫膏回流焊應用(yòng)在芯片電(diàn)容邦定工(gōng)藝中(zhōng)，可(kě)以明顯提升芯片電(diàn)容的耐熱性能(néng)。

然而，常規的單層芯片電(diàn)容在采用(yòng)錫膏回流焊的邦定工(gōng)藝及實際使用(yòng)過程中(zhōng)，存在以下的問題：

銀表面電(diàn)極适合與鋁線(xiàn)、銅線(xiàn)或金線(xiàn)進行邦定焊接，且焊接效果良好，但銀表面電(diàn)極采用(yòng)錫膏回流焊技(jì )術焊接于電(diàn)路闆上時，存在銀遷移現象，這會造成芯片的電(diàn)氣性能(néng)突變以及可(kě)靠性下降。為(wèi)了解決上述技(jì )術問題，愛晟電(diàn)子介紹一款複合電(diàn)極SLC單層芯片電(diàn)容，其适合回流焊和打線(xiàn)鍵合，其具(jù)有(yǒu)邦定效果好、耐高溫、可(kě)靠性高、穩定性高的優點。這款芯片電(diàn)容的上表面電(diàn)極為(wèi)銀層，下表面電(diàn)極由钛鎢層、銅層和金層從内向外依次在電(diàn)容陶瓷基片上層疊而成。

複合電(diàn)極SLC單層芯片電(diàn)容，其上表面電(diàn)極用(yòng)于打線(xiàn)鍵合，下表面電(diàn)極用(yòng)于邦定在電(diàn)路闆上。上表面電(diàn)極的銀層（Ag）是作(zuò)為(wèi)與電(diàn)容陶瓷基片結合的基礎層，能(néng)夠與電(diàn)容陶瓷基片形成有(yǒu)力的結合，且上表面電(diàn)極的銀層能(néng)夠很(hěn)好地與鋁線(xiàn)、銅線(xiàn)或金線(xiàn)進行邦定焊接；下表面電(diàn)極的钛鎢層（TiW）與電(diàn)容陶瓷基片結合，并作(zuò)為(wèi)過渡層，主要起過渡作(zuò)用(yòng)，使銅層與電(diàn)容陶瓷基片更好地結合，同時具(jù)有(yǒu)阻擋作(zuò)用(yòng)；下表面電(diàn)極的銅層（Cu）作(zuò)為(wèi)阻擋層，用(yòng)于阻擋外界對過渡層的破壞，并具(jù)有(yǒu)焊接作(zuò)用(yòng)；下表面電(diàn)極的金層（Au）既是焊接層，也是保護層，其穩定性高，可(kě)防止氧化、抗腐蝕、防破壞，防止銀遷移，并有(yǒu)效地阻擋了錫膏回流焊接時焊錫滲透到銀層中(zhōng)形成錫銀合金和避免銀遷移現象發生，從而防止焊接錫膏破壞銀層。





參考數據：

CN109659134A《一種高可(kě)靠雙面異質(zhì)複合電(diàn)極芯片電(diàn)容》