如今，表面貼裝(zhuāng)技(jì )術（SMT，Surface Mount Technology）、整機小(xiǎo)形化、高頻化的不斷推進，促使SLC單層芯片電(diàn)容開始向微型化、高頻化方向發展。在電(diàn)子移動通訊和電(diàn)子整機設備中(zhōng)被廣泛應用(yòng)的單層芯片電(diàn)容，其具(jù)有(yǒu)體(tǐ)積小(xiǎo)、厚度薄、損耗低、優良射頻等特點，可(kě)用(yòng)于各種電(diàn)子整機中(zhōng)的振蕩、耦合、濾波和旁路。但市面上大多(duō)數單層芯片電(diàn)容存在射頻參數差、容量小(xiǎo)、耐壓低等劣勢，因此有(yǒu)必要研制一款高頻SLC單層芯片電(diàn)容。廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司為(wèi)大家介紹一款單層芯片電(diàn)容，其電(diàn)容量大、尺寸小(xiǎo)、耐電(diàn)壓高、等效串聯電(diàn)阻低且高頻微波特性良好。具(jù)體(tǐ)的制備步驟如下：

一、以钛酸鋇體(tǐ)系的低燒X7R陶瓷粉料作(zuò)為(wèi)主基材，将氧化劑以及玻璃燒結助劑按比例砂磨混合，砂磨混合之後進行烘幹處理(lǐ)得到幹燥混合物(wù)；

二、将幹燥混合物(wù)預燒處理(lǐ)之後，幹燥、粉碎、細化得到多(duō)層低溫燒結電(diàn)容器瓷粉；

三、将多(duō)層低溫燒結電(diàn)容器瓷粉、無水乙醇、分(fēn)散劑、消泡劑以及粘合劑混合球磨，得到漿料，将漿料倒在流延機注入口的PET載膜上，通過刮刀(dāo)、加熱區(qū)後形成穩定且具(jù)有(yǒu)韌性的微米級厚度陶瓷膜帶，最後，裁剪得到生瓷膜片；

四、對生瓷膜片進行打孔操作(zuò)，并使用(yòng)通孔金漿和内電(diàn)極金漿分(fēn)别進行通孔和内電(diàn)極的印刷；

五、将含通孔的膜片與含有(yǒu)内電(diàn)極漿料的生瓷膜片依據對位标記堆疊起來，經過等靜壓形成類似MLCC的埋入式結構的巴塊，其中(zhōng)等靜壓參數随産(chǎn)品厚度的不同而改變；

六、采用(yòng)厚膜印刷方式，使用(yòng)表層金漿在巴塊的上下表面分(fēn)别印制一層金電(diàn)極，得到SLC單層芯片電(diàn)容生坯；

七、将芯片電(diàn)容生坯放置于承燒闆上，由室溫經20h~48h緩慢升溫至400℃~600℃排出芯片電(diàn)容中(zhōng)的有(yǒu)機物(wù)，再進行燒結處理(lǐ)；置于高溫箱式電(diàn)爐中(zhōng)進行燒結處理(lǐ)，燒結溫度為(wèi)900℃±50℃，保溫時間為(wèi)2h~5h；

八、采用(yòng)精(jīng)确切割工(gōng)藝技(jì )術，得到需求尺寸的高頻SLC單層芯片電(diàn)容。





參考數據：

CN108922779A《一種片式通孔金電(diàn)極芯片電(diàn)容器及其制備方法》