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技(jì )術支持
平整度高的SLC單層芯片電(diàn)容
發布者 : admin 發布時間 : 2022/01/24 09:01:28


廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的SLC單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)尺寸小(xiǎo)、結構堅固、頻率特性優異、電(diàn)氣性能(néng)穩定、可(kě)靠性高等特點。由于SLC單層芯片電(diàn)容尺寸小(xiǎo)、厚度薄,其制造工(gōng)藝難度大、采用(yòng)現有(yǒu)的燒結成型工(gōng)藝容易導緻嚴重變形,而現有(yǒu)的切割工(gōng)藝則容易導緻微裂紋等,難以滿足現在單層芯片電(diàn)容的安(ān)裝(zhuāng)要求及使用(yòng)可(kě)靠性要求。為(wèi)了解決上述問題,愛晟電(diàn)子為(wèi)大家介紹一款SLC單層芯片電(diàn)容,能(néng)有(yǒu)效地解決芯片電(diàn)容的平整度問題以及切割時的微裂紋等。具(jù)體(tǐ)工(gōng)藝步驟如下:

一、采用(yòng)現有(yǒu)技(jì )術進行陶瓷生坯成型,獲得SLC陶瓷生坯;

二、制作(zuò)防粘粉,其由60%面粉、30%玉米粉、10%锆粉均勻混合構成;

三、将混合好的防粘粉均勻地粘附在SLC陶瓷生坯表面,并将其垂直堆積在承燒闆上,再壓上陶瓷闆進行燒結。燒結溫度分(fēn)别為(wèi)室溫~350℃,時間控制在48~54小(xiǎo)時,350℃~最高燒結溫度1100℃為(wèi)快速升溫段,時間控制在7~8小(xiǎo)時,在最高燒結溫度保溫2~2.5小(xiǎo)時;

四、燒結完成後等待SLC陶瓷生坯自然冷卻,清洗後即可(kě)分(fēn)離出SLC陶瓷熟坯;

五、通過真空濺射技(jì )術在SLC陶瓷熟坯兩表面印刷上金屬電(diàn)極;

六、将帶有(yǒu)金屬電(diàn)極的SLC陶瓷熟坯用(yòng)粘膠粘夾在兩片SLC陶瓷熟坯中(zhōng)間,上下兩片SLC陶瓷熟坯完全覆蓋帶有(yǒu)金屬電(diàn)極的SLC陶瓷熟坯;

七、切割,在切割過程中(zhōng)絕大部分(fēn)的切割應力由上下兩片SLC陶瓷熟坯所承擔,保證了夾在中(zhōng)間的帶有(yǒu)金屬電(diàn)極的SLC陶瓷熟坯的切割邊緣的平整,同時也避免了其因受力而産(chǎn)生的破碎現象和砂輪刀(dāo)具(jù)在高速旋轉時将其金屬電(diàn)極從SLC陶瓷熟坯上剝離的現象;

八、切割完成後清洗粘膠,即可(kě)得平整度極高的SLC單層芯片電(diàn)容。

這款平整度高的SLC單層芯片電(diàn)容,通過多(duō)個SLC陶瓷生坯堆積燒結,有(yǒu)效解決成型工(gōng)藝中(zhōng)的變形問題。通過上下粘夾後進行砂輪切割,有(yǒu)效解決了陶瓷易破碎及金屬電(diàn)極與陶瓷分(fēn)離等問題,避免了激光切割對金屬電(diàn)極燒灼産(chǎn)生黑點的現象,提高了産(chǎn)品的平整度及可(kě)靠性。





參考數據:

CN103500655A《一種平整度高的微波單層陶瓷電(diàn)容器的制造方法》

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