廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的SLC單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)尺寸小(xiǎo)、厚度薄、等效串聯電(diàn)阻低、損耗低的優點，應用(yòng)頻率可(kě)達數GHz，适用(yòng)于小(xiǎo)型、微波的場合，可(kě)應用(yòng)于微波集成電(diàn)路中(zhōng)，起到隔直流、RF旁路、濾波、調諧等作(zuò)用(yòng)。

SLC單層芯片電(diàn)容的介質(zhì)陶瓷基片是由陶瓷生坯經高溫燒結緻密化而成，燒結時生坯會發生收縮，其收縮率可(kě)達17％~20％。燒結過程中(zhōng)的收縮應力會使基片翹曲，導緻後續加工(gōng)如電(diàn)極被覆、二次切割等無法進行，使産(chǎn)品不良率增加。為(wèi)了獲得平整度高、電(diàn)氣性能(néng)良好的單層芯片電(diàn)容，就需要一套提高良品率的工(gōng)藝流程，具(jù)體(tǐ)的步驟如下：

一、将陶瓷粉末與粘合劑、溶劑混合配制成陶瓷漿料，将陶瓷漿料流延并烘幹得到陶瓷膜片；

二、按設計厚度堆疊陶瓷膜片形成厚膜并用(yòng)等靜壓機将其壓合後按一定尺寸切割得到方形的基片生坯；

三、将基片生坯高溫燒結形成陶瓷基片；

四、在基片上濺射形成金屬電(diàn)極并将基片二次切割，制得單層芯片電(diàn)容。

其中(zhōng)，基片生坯堆疊燒結的過程為(wèi)制備多(duō)個基片生坯及多(duō)個氧化锆膜，将若幹個生坯和氧化锆膜交替地自然堆疊并裝(zhuāng)缽于氧化锆闆上進行燒結得到。基片生坯與氧化锆膜自然堆疊，相互之間沒有(yǒu)粘接，燒結時各基片生坯能(néng)夠自由收縮。收縮應力産(chǎn)生沒有(yǒu)疊加且應力較小(xiǎo)，氧化锆膜也不會對基片生坯的收縮産(chǎn)生抑制，因此得到平整無裂片的基片，且氧化锆膜容易從基片上分(fēn)離。采用(yòng)該燒制方法，燒結基片生坯在達到生坯開始收縮的溫度後，按2℃/min的速率緩慢升溫至最高燒結溫度，可(kě)制得平整度高且電(diàn)氣性能(néng)良好的陶瓷基片，制得的SLC單層芯片電(diàn)容電(diàn)容量集中(zhōng)、損耗低、絕緣性能(néng)好。





參考數據：

CN105632758A《一種陶瓷電(diàn)容器用(yòng)陶瓷基片燒制方法》