廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容，适用(yòng)于高頻、微波、小(xiǎo)型、微型化的場合，如微波功率放大器、混合集成電(diàn)路模塊、手機電(diàn)路模塊、無線(xiàn)電(diàn)微波通訊模塊等，是商(shāng)用(yòng)、民(mín)用(yòng)的高可(kě)靠性芯片電(diàn)容。

在現有(yǒu)加工(gōng)工(gōng)藝中(zhōng)，單層芯片電(diàn)容一般采用(yòng)厚膜印刷技(jì )術、層叠、切割、共燒的工(gōng)藝，因此也會存在電(diàn)極間的連接不夠可(kě)靠的質(zhì)量隐患。因此，制造一款高可(kě)靠單層芯片電(diàn)容可(kě)以使其利用(yòng)率更高。愛晟電(diàn)子為(wèi)大家介紹一款單層芯片電(diàn)容，其諧振頻率高、精(jīng)度高。具(jù)體(tǐ)的加工(gōng)工(gōng)藝包括以下步驟：

一、将準備金屬化的陶瓷介質(zhì)基片在酒精(jīng)中(zhōng)進行超聲波清洗，然後幹燥；

二、将基片上下兩個表面均用(yòng)濺射工(gōng)藝在真空或氣體(tǐ)保護下進行濺射金屬化處理(lǐ)；

三、将金屬化後的基片進行光刻處理(lǐ)，以制版後得到的負片為(wèi)模闆，通過光刻技(jì )術在金屬化後的基片上制作(zuò)有(yǒu)保護性區(qū)域的精(jīng)細的圖案；

四、将基片進行常規電(diàn)鍍、腐蝕、沖洗工(gōng)藝處理(lǐ)，使基片的上下表面形成許多(duō)相同或對稱的金屬化的圖案；

五、将基片用(yòng)熱塑性粘合劑粘貼在基闆上，然後用(yòng)精(jīng)密切割機床按照所需的尺寸進行切割； 

六、将切割後的基闆用(yòng)酒精(jīng)或熱水進行溶洗，使粘貼在基闆上的基片與基闆分(fēn)離，分(fēn)離出的基片即為(wèi)具(jù)有(yǒu)上、下金屬電(diàn)極的單層芯片電(diàn)容；

七、将單層芯片電(diàn)容進行清洗，并在100~150℃烘幹15~60分(fēn)鍾，在室溫下放置24小(xiǎo)時後進行電(diàn)性能(néng)測試。

其中(zhōng)，金屬化處理(lǐ)采用(yòng)的金屬化材料是單一的金屬或合金；另外，金屬化處理(lǐ)是在基片上濺射至少一層金屬材料。

金屬材料包括钛、鎢、鉑、钴、銅、鎳、钯、金、錫中(zhōng)的至少一種或它們之間任意組合的至少一種合金。

光刻處理(lǐ)是用(yòng)類似照片處理(lǐ)的曝光、顯影過程進行處理(lǐ)。

電(diàn)鍍工(gōng)藝所采用(yòng)的鍍材是金、鎳、銅、錫、錫合金中(zhōng)的任意一種。

基闆是鋼或鋁的金屬基闆。

高可(kě)靠單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)以下優點：

一、以真空高能(néng)濺射方式将金屬原子在高能(néng)電(diàn)場下直接附着于陶瓷介質(zhì)表面，克服了厚膜印刷電(diàn)路方式所存在的中(zhōng)間過渡層或者穿孔連接不可(kě)靠等問題。因此得到的芯片電(diàn)容串聯等效電(diàn)阻低，在微波高頻下的性能(néng)好。

二、采用(yòng)先進的光刻技(jì )術，因此所制得的芯片電(diàn)容精(jīng)度高。

三、與多(duō)層芯片電(diàn)容相比，單層芯片電(diàn)容避免了介質(zhì)層間形成的電(diàn)流回路，在微波使用(yòng)時具(jù)有(yǒu)更低的串聯等效電(diàn)阻值和更高的品質(zhì)因數。





參考數據：

CN1601673A《單層電(diàn)容器元件的制備方法》