為(wèi)适應電(diàn)子元件微型化、集成化以及高頻化發展趨勢，單層芯片電(diàn)容（SLC，Single Layer Capacitor）受到越來越多(duō)的青睐。單層芯片電(diàn)容的結構包括單層陶瓷介質(zhì)層和分(fēn)别位于陶瓷介質(zhì)層相對的兩個表面的上電(diàn)極層和下電(diàn)極層。與多(duō)層芯片電(diàn)容相比，單層芯片電(diàn)容在工(gōng)作(zuò)時的電(diàn)流路徑更遠(yuǎn)，在射頻、微波下的等效串聯電(diàn)阻和等效串聯電(diàn)感更低，從而具(jù)有(yǒu)更高的自諧振頻率和品質(zhì)因數。

但是，單層芯片電(diàn)容厚度薄，采用(yòng)現有(yǒu)的燒結工(gōng)藝容易發生變形問題，影響成品平整度和性能(néng)。現有(yǒu)的加工(gōng)電(diàn)極層工(gōng)藝一般是厚膜印刷電(diàn)路方式，加工(gōng)得到的電(diàn)極層難以實現超薄的厚度，不利于實現單層芯片電(diàn)容的微型化，而且電(diàn)極材料損耗較大。采用(yòng)一般的機械切割方式極易使芯片電(diàn)容碎裂，成品率低。為(wèi)了解決上述問題，廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司為(wèi)大家介紹一種款單層芯片電(diàn)容，其性能(néng)優良，成品率高。

該單層芯片電(diàn)容的制備方法，包括瓷漿制備、陶瓷生片制備、燒結、清洗、附着電(diàn)極層、切割。其中(zhōng)，燒結曲線(xiàn)由升溫排膠段、快速升溫段、高溫段、保溫段、降溫段組成。室溫至400℃為(wèi)升溫排膠段，升溫速率控制在0.8~1.5℃/min；400℃~1000℃為(wèi)快速升溫段，升溫速率控制在3.5~5℃/min；1000℃至最高燒溫為(wèi)高溫段，升溫速率控制在2~3℃/min；溫度達到最高燒溫時進入保溫段，最高燒溫為(wèi)1250~1320℃，保溫時間為(wèi)2~3小(xiǎo)時；降溫段的降溫速率控制在4~5℃/min。電(diàn)極層通過真空濺射工(gōng)藝在陶瓷介質(zhì)主體(tǐ)的上、下表面分(fēn)别附着單層或多(duō)層金屬電(diàn)極層；真空濺射時，真空度控制在5×10-3×10-3Pa，溫度控制在常溫至60℃，靶材濺射電(diàn)流控制在1A-5A。切割采用(yòng)激光切割，激光切割的切割速率為(wèi)100mm~200mm/s，功率為(wèi)5~12W，重複切割次數為(wèi)1~4次。

這款單層芯片電(diàn)容厚度薄、尺寸小(xiǎo)，并具(jù)有(yǒu)超低的串聯等效電(diàn)阻和串聯等效電(diàn)感，可(kě)被應用(yòng)于混合微波集成電(diàn)路、單片微波集成電(diàn)路等。該單層芯片電(diàn)容通過采用(yòng)真空濺射工(gōng)藝加工(gōng)電(diàn)極層，各電(diàn)極層間均保證良好的接觸，使産(chǎn)品具(jù)有(yǒu)超低的ESR值，能(néng)顯著提高微波電(diàn)路的有(yǒu)效增益，降低插入損耗。真空濺射工(gōng)藝得到的電(diàn)極層極薄，給産(chǎn)品厚度帶來的增加幾乎可(kě)忽略，滿足單層芯片電(diàn)容的微型化要求，并節約電(diàn)極材料。通過采用(yòng)激光切割方式切割芯片電(diàn)容，可(kě)根據所需要的外圍尺寸設定切割步距，精(jīng)度高且芯片電(diàn)容不易碎裂，有(yǒu)效解決一般機械切割方式易損傷單層芯片電(diàn)容的問題。





參考數據：

CN102013320A《一種單層芯片電(diàn)容及其制備方法》