廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司研發、生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)良好的形狀系數，适用(yòng)于印刷電(diàn)路闆、空間有(yǒu)限的芯片載體(tǐ)、封裝(zhuāng)組件内的集成電(diàn)路等，其尺寸可(kě)以與容納集成電(diàn)路的芯片載體(tǐ)或印刷電(diàn)路闆内的限制匹配。

常規工(gōng)藝過程中(zhōng)，一般通過金屬化燒結的陶瓷材料來制造單層芯片電(diàn)容，并按照參數要求劃切。按照現有(yǒu)技(jì )術生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容，其形狀系數盡管是達标的，但是可(kě)達到的電(diàn)容量限制了其應用(yòng)範圍，特别是應用(yòng)場景要求特别小(xiǎo)或特别薄的單層芯片電(diàn)容時。在這種情況下，就要求芯片電(diàn)容必須具(jù)備高結構強度和高電(diàn)容值。愛晟電(diàn)子為(wèi)大家介紹一款高電(diàn)容值、高結構強度、高性價比的單層芯片電(diàn)容，其包括陶瓷介電(diàn)材料以及上下表面金屬電(diàn)極層。高電(diàn)容值單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)至少一個内部電(diàn)極，其延伸穿過陶瓷介電(diàn)材料的寬度的一部分(fēn)并與導電(diàn)金屬化層電(diàn)接觸；導電(diàn)金屬化層位于陶瓷介電(diàn)材料的一個側面和頂面或底面中(zhōng)的至少一部分(fēn)上，以及位于頂面或底面上的又(yòu)一電(diàn)隔離的金屬化焊盤，其與電(diàn)極電(diàn)接觸。其中(zhōng)，高電(diàn)容值單層芯片電(diàn)容的頂面或底面上存在彼此電(diàn)隔離的多(duō)個金屬化焊盤；金屬化焊盤具(jù)有(yǒu)不同尺寸。

高電(diàn)容值單層芯片電(diàn)容的制備方法，具(jù)體(tǐ)工(gōng)藝步驟如下：

在坯體(tǐ)狀态的陶瓷介電(diàn)材料基片的層之間放置一個或多(duō)個電(diàn)極；

沿着坯體(tǐ)的陶瓷介電(diàn)基片的邊緣切割或鑽出孔并填充；

在坯體(tǐ)狀态的陶瓷介電(diàn)基片上印刷頂部金屬電(diàn)極層和底部金屬電(diàn)極層；

将坯體(tǐ)狀态的陶瓷介電(diàn)基片切割成獨立高電(diàn)容值單層芯片電(diàn)容；

燒結高電(diàn)容值單層芯片電(diàn)容。





參考數據：

CN102842422A《高電(diàn)容單層電(diàn)容器》