SLC單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)體(tǐ)積小(xiǎo)、容量大、應用(yòng)頻率高等特點，被廣泛應用(yòng)于電(diàn)子、雷達、導航和衛星通訊等方面。傳統的單層芯片電(diàn)容中(zhōng)間為(wèi)介質(zhì)層，上下各一層電(diàn)極層，下電(diàn)極采用(yòng)金錫合金或鉛錫合金等焊料焊接于電(diàn)路中(zhōng)，上電(diàn)極采用(yòng)金絲鍵合技(jì )術與其他(tā)電(diàn)路元件相連。

目前，單層芯片電(diàn)容金錫焊料的制備工(gōng)藝，要麽材料利用(yòng)率低，大大增加了生産(chǎn)成本；要麽工(gōng)藝難度系數高，對電(diàn)鍍槽液成份和溫度的控制要求很(hěn)高，并且存在電(diàn)鍍液污染等問題，很(hěn)難滿足環保要求。為(wèi)了解決上述現有(yǒu)技(jì )術中(zhōng)存在的問題，廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司介紹一款帶有(yǒu)金錫焊料的單層芯片電(diàn)容，其包括金錫焊料層、下電(diàn)極層、介質(zhì)層、上電(diàn)極層。該芯片電(diàn)容可(kě)提高封裝(zhuāng)效率，降低封裝(zhuāng)成本；工(gōng)藝簡單，速度可(kě)控，生産(chǎn)成本低；全程無污染，而且所制成的金錫焊料在高溫焊接時性能(néng)優良，保證了産(chǎn)品的穩定性，适用(yòng)于工(gōng)業化生産(chǎn)。

帶有(yǒu)金錫焊料的單層芯片電(diàn)容的具(jù)體(tǐ)制備步驟如下：

一、制備陶瓷基片并清洗烘幹；

二、采用(yòng)蒸鍍或濺射的方式在陶瓷基片上下表面形成電(diàn)極層；

三、将形成上下電(diàn)極的陶瓷基片放入真空濺射機内，采用(yòng)直流濺射的方式濺射金錫焊料層，基片采用(yòng)自轉和公(gōng)轉方式；

四、濺射金錫焊料層，靶材采用(yòng)金與錫的質(zhì)量比為(wèi)80：20的金錫合金，腔體(tǐ)加熱溫度為(wèi)100~500℃，真空度為(wèi)10-6-10-7mTorr，功率為(wèi)500W~4000W，時間為(wèi)50s~1000s，采用(yòng)X光機或台階儀監測濺射膜厚，同時采用(yòng)在線(xiàn)監測系統實時監測濺射膜厚；

五、根據不同陶瓷基片性能(néng)的要求，部分(fēn)基片隻需在上電(diàn)極或下電(diàn)極表面單面濺射金錫焊料層，部分(fēn)基片需正反兩面濺射；

六、金錫焊料層濺射完畢後關掉加熱裝(zhuāng)置，充入氣體(tǐ)，取出半成品；

七、将半成品進行常規的光刻、刻蝕、電(diàn)鍍、清洗等工(gōng)藝處理(lǐ)；

八、切割、測試、分(fēn)選；

九、産(chǎn)品包裝(zhuāng)。





參考數據：

CN110400696A《一種帶有(yǒu)金錫焊料的單層電(diàn)容器的制造工(gōng)藝》