單層芯片電(diàn)容（SLC）因其隔直流、高頻旁路和阻抗匹配等特點，被廣泛應用(yòng)于微波/光收發器、TOSA/ROSA/BOSA（發射/接收/雙向光學(xué)組件）、合成器、振蕩器和其它信号發生器等。在所有(yǒu)這些應用(yòng)中(zhōng)，選擇正确的電(diàn)容是獲得理(lǐ)想性能(néng)的第一步。單層芯片電(diàn)容的電(diàn)容可(kě)根據平行闆電(diàn)容方程計算：

C=ε_rε_0A/d

其中(zhōng)，C是電(diàn)容，單位為(wèi)法拉（F）；A是兩塊闆重疊的面積，單位為(wèi)平方米（㎡）；ε_r是介電(diàn)常數；ε₀是電(diàn)常數(ε₀≈8.854×10-12F/m)；d是平行闆之間的間距，單位為(wèi)米（m）。

在理(lǐ)想的電(diàn)容器中(zhōng)沒有(yǒu)電(diàn)阻或電(diàn)感，因此阻抗随頻率成反比下降。然而，當頻率達到自諧振頻率（SRF,Self-resonant Frequency）時，阻抗降到最小(xiǎo)，然後電(diàn)感占主導地位，阻抗随頻率而增加。另一個需要注意的是，單層芯片電(diàn)容在自諧振頻率附近的阻抗比理(lǐ)想電(diàn)容器小(xiǎo)。這是因為(wèi)理(lǐ)想的電(diàn)容器沒有(yǒu)等效串聯電(diàn)感（ESL，Equivalent Series Inductance）或等效串聯電(diàn)阻（ESR，Equivalent Series Resistance），但是單層芯片電(diàn)容的等效串聯電(diàn)感抵消了自諧振頻率附近的電(diàn)容電(diàn)抗（從而抵消了阻抗）。這意味着在自諧振頻率附近，單層芯片電(diàn)容比理(lǐ)想電(diàn)容器的損耗小(xiǎo)。

其它的參數，包括電(diàn)容器的額定工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓（RWV，Rated Working Voltage）、絕緣電(diàn)阻（IR，Insulation Resistance），它們與電(diàn)介質(zhì)的厚度成正比。電(diàn)容會随着偏置電(diàn)壓而變化，其偏置電(diàn)壓又(yòu)會随着介電(diàn)常數的增加而惡化；電(diàn)容會随着溫度的變化而改變，其溫度又(yòu)會随特定的介電(diàn)材料而變化。

一般來說，在選擇單層芯片電(diàn)容時，可(kě)遵循以下原則：

一、為(wèi)獲得最佳的等效串聯電(diàn)阻，選擇尺寸大而薄的單層芯片電(diàn)容。

二、為(wèi)獲得最佳的額定工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓和絕緣電(diàn)阻，選擇較厚的單層芯片電(diàn)容。

三、對于最高的自諧振頻率，選擇尺寸更小(xiǎo)、更薄的單層芯片電(diàn)容。

四、對于最低損耗，使用(yòng)最低介電(diàn)常數。

廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容，尺寸小(xiǎo)（最小(xiǎo)可(kě)至0.23mm）、厚度薄（最薄可(kě)至0.12mm）、等效串聯電(diàn)阻低、損耗低，可(kě)在微波應用(yòng)中(zhōng)起到隔直流、RF旁路、濾波、調諧等作(zuò)用(yòng)。

參考數據：

《微波雜志(zhì)》2020年3/4月刊 《了解微波應用(yòng)中(zhōng)的單層電(diàn)容器》