用(yòng)于印刷電(diàn)路闆（Printed circuit board，PCB）表面安(ān)裝(zhuāng)的微型陶瓷芯片電(diàn)容，通常有(yǒu)單層芯片電(diàn)容（Single Layer Capacitor，SLC）和多(duō)層芯片電(diàn)容（Multi-layer Ceramic Chip Capacitors，MLCC）兩種。這兩種類型的芯片電(diàn)容因其小(xiǎo)巧的尺寸，被普遍應用(yòng)于射頻電(diàn)路、微波電(diàn)路中(zhōng)。那麽問題來了，對于客戶而言，這兩種類型的芯片電(diàn)容該如何選擇呢(ne)？它們之間又(yòu)有(yǒu)什麽區(qū)别？

單層芯片電(diàn)容的容量範圍可(kě)從0.05pF到10000pF，直流額定工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓可(kě)以達到100V，單層芯片電(diàn)容的工(gōng)作(zuò)頻率可(kě)高達100GHz。而多(duō)層芯片電(diàn)容的容量範圍比單層芯片電(diàn)容更寬，其直流額定工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓可(kě)高達7200V，其主要被應用(yòng)于3GHz以下的高頻率電(diàn)信号。

單層芯片電(diàn)容與多(duō)層芯片電(diàn)容相比，具(jù)有(yǒu)較低串聯等效電(diàn)阻、高品質(zhì)因數和高可(kě)靠性，這更能(néng)滿足微波和毫米波頻段電(diàn)子線(xiàn)路的苛刻要求。而且其厚度更薄，可(kě)被廣泛應用(yòng)于微波集成電(diàn)路（Microwave Integrated Circuit，MIC）、微波單片集成電(diàn)路（Microwave Monolithic Integrated Circuit，MMIC），如：放大器、振蕩器和混頻器等，可(kě)實現隔直流、RF旁路、有(yǒu)源旁路、濾波、阻抗匹配和共面波導等功能(néng)。

單層芯片電(diàn)容和多(duō)層芯片電(diàn)容常用(yòng)的介質(zhì)類型有(yǒu)三種：

Ⅰ類介質(zhì)（順電(diàn)體(tǐ)）：耐電(diàn)壓高，性能(néng)最穩定，但介電(diàn)常數較低；

II類介質(zhì)（鐵電(diàn)體(tǐ)）：耐電(diàn)壓較高，介電(diàn)常數較高，但容量溫度穩定性較差；

III類介質(zhì)（晶界層）：介電(diàn)常數很(hěn)高，但耐電(diàn)壓較低。

基于同一種介質(zhì)材料制造的單層芯片電(diàn)容與多(duō)層芯片電(diàn)容，除了電(diàn)容的大小(xiǎo)、電(diàn)容量、額定工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓不同之外，幾乎沒有(yǒu)明顯的差異。至于選擇哪種，設計師就需要從電(diàn)路闆上的布局及其尺寸，電(diàn)容的尺寸、容量、使用(yòng)頻率、電(diàn)壓等實際要求來進行匹配選型，重點評估不同的電(diàn)容(SLC和MLCC)模型，然後根據其整體(tǐ)性能(néng)參數的模拟評估來找到最好的産(chǎn)品選型。

參考數據：

人造奇石MLCC暢談《選擇單層瓷介電(diàn)容器SLC or 多(duō)層瓷介電(diàn)容器MLCC》