廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)體(tǐ)積小(xiǎo)、結構堅固、頻率特性優異等特點，被廣泛應用(yòng)于微波通訊線(xiàn)路及抗電(diàn)磁幹擾（EMI，Electro Magnetic Interference）器件。與多(duō)層陶瓷電(diàn)容（MLCC）相比，單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)等效串聯電(diàn)阻低、介質(zhì)損耗小(xiǎo)和可(kě)靠性高的優點。

單層芯片電(diàn)容的基本結構為(wèi)金屬電(diàn)極——陶瓷介質(zhì)基片——金屬電(diàn)極的三層結構，其常規的制備工(gōng)藝流程為(wèi)：流延→疊片→層壓切塊→排膠→燒結→濺射→電(diàn)鍍→切割。其中(zhōng)，切割一般采用(yòng)機械切割方式，如旋轉刀(dāo)片切割。然而，陶瓷材料脆性大，刀(dāo)片切割時容易使陶瓷基片的切割面産(chǎn)生碎裂，不利于電(diàn)容器的結構完整性和可(kě)靠性。基于此，愛晟電(diàn)子為(wèi)大家介紹一款低應力單層芯片電(diàn)容，其陶瓷基片的切割面不易發生碎裂，具(jù)有(yǒu)結構完整性好和可(kě)靠性高的特點。

低應力單層芯片電(diàn)容包括陶瓷基片、面電(diàn)極、底電(diàn)極以及設于陶瓷基片内部的至少一個緩沖層。面電(diàn)極被設置于陶瓷基片的頂面；底電(diàn)極被設置于陶瓷基片的底面；各緩沖層在垂直于陶瓷基片的底面的方向上間隔設置，緩沖層為(wèi)内部中(zhōng)空的呈封閉框形的金屬層，其邊框沿陶瓷基片的側面布置，并外露于陶瓷基片的側面。緩沖層能(néng)減少切割應力對陶瓷基片的切割面的影響，避免切割面産(chǎn)生碎裂，從而使單層芯片電(diàn)容整體(tǐ)結構完好，保證單層芯片電(diàn)容的性能(néng)和可(kě)靠性。同時，通過設置至少一個間隔設置的金屬層，能(néng)夠分(fēn)散切割應力，防碎裂效果更好。低應力單層芯片電(diàn)容的制備方法如下：

一、采用(yòng)流延法将陶瓷漿料制成陶瓷膜。

陶瓷漿料可(kě)采用(yòng)本行業所慣用(yòng)的工(gōng)藝技(jì )術用(yòng)陶瓷粉料制備得到，陶瓷粉料可(kě)采用(yòng)電(diàn)容陶瓷用(yòng)的Ⅰ類瓷、Ⅱ類瓷或Ⅲ類瓷的粉末配成；制得陶瓷膜的厚度為(wèi)5~60微米。

二、采用(yòng)金屬漿料在步驟一制得的陶瓷膜表面印刷呈多(duō)個封閉框形的緩沖層。

金屬漿料可(kě)以為(wèi)銀、钯、銀钯合金、鎳、銅、鎳銅合金等的漿料，優先選用(yòng)可(kě)與步驟一制得的陶瓷膜共燒的金屬漿料。采用(yòng)絲網印刷法印刷緩沖層，得到的緩沖層呈縱橫交錯的方格網狀，印刷緩沖層的厚度為(wèi)0.5~3微米。

三、将步驟一制得的陶瓷膜與至少一個步驟二中(zhōng)得到的陶瓷膜進行疊片、層壓，得到各緩沖層間隔設于底部的陶瓷生坯巴塊。

疊片為(wèi)先将四個步驟二得到的陶瓷膜層疊在一起，并使四個陶瓷膜上的緩沖層相互間隔，然後在外露的緩沖層的一側再層疊多(duō)個步驟一制得的陶瓷膜直至達到芯片電(diàn)容所需的厚度；所得陶瓷生坯巴塊中(zhōng)相鄰兩個緩沖層的間距相等且為(wèi)5~ 20微米。

四、将步驟三得到的陶瓷生坯巴塊劃切成尺寸更小(xiǎo)的陶瓷生坯小(xiǎo)塊，然後從上至 下沿緩沖層的邊框中(zhōng)線(xiàn)對陶瓷生坯小(xiǎo)塊預切割成槽，如圖1所示，圖中(zhōng)點劃線(xiàn)為(wèi)切割線(xiàn)，且所得切槽A底部為(wèi)含緩沖層40的預留部分(fēn)B，該預留部分(fēn)B不切斷，如圖2所示。

劃切得到的陶瓷生坯小(xiǎo)塊為(wèi)矩形，其長(cháng)和寬分(fēn)别優選為(wèi)2~10毫米，陶瓷生坯小(xiǎo)塊面積較小(xiǎo)，操作(zuò)起來比較方便，不容易折斷，并且燒結時不容易變形，保證燒結後的平整度好；切槽A的深度為(wèi)陶瓷生坯小(xiǎo)塊的厚度的2/3~4/5，則預留部B的厚度為(wèi)陶瓷生坯小(xiǎo)塊的厚度的1/5~1/3；劃切和預切割可(kě)以采用(yòng)旋轉刀(dāo)片切割。

五、将步驟四得到的半成品進行排膠、燒結。

排膠是将步驟四得到的半成品在空氣中(zhōng)以250~400℃進行排膠，以保證燒結後的陶瓷均勻緻密。燒結是将排膠後的半成品在空氣中(zhōng)或還原氣氛中(zhōng)以900~1350℃進行燒結。

六、在步驟五得到的半成品的頂面和底面分(fēn)别制作(zuò)面電(diàn)極和底電(diàn)極。

采用(yòng)濺射或電(diàn)鍍方式制作(zuò)面電(diàn)極和底電(diàn)極，材料可(kě)為(wèi)钛、鎢、鉑、钴、銅、 鎳、钯、金、錫中(zhōng)的至少一種金屬或任意幾種組合而成的合金，制得的面電(diàn)極與底電(diàn)極的厚度分(fēn)别為(wèi)2微米。

七、沿切槽對步驟六得到的半成品進行貫穿式切割，切斷預留部B，得到單個低應力單層芯片電(diàn)容。

低應力單層芯片電(diàn)容的制備方法中(zhōng)，根據步驟一流延法得到的陶瓷膜面積較大，不方便後續的處理(lǐ)。因此，在步驟四中(zhōng)，利用(yòng)陶瓷生坯可(kě)塑性的特點，先将陶瓷生坯巴塊劃切成較小(xiǎo)的陶瓷生坯小(xiǎo)塊，并對得到的陶瓷生坯小(xiǎo)塊預切割成槽，所以層壓後對其劃切和預切割就不會産(chǎn)生碎裂。完成步驟五和步驟六後，在步驟七中(zhōng)再切斷預留部，雖然此時切割對象為(wèi)脆性較大的陶瓷熟料，但由于預留部分(fēn)含有(yǒu)可(kě)緩沖切割應力的緩沖層，因此切斷時能(néng)防止碎裂，而且相對于現有(yǒu)技(jì )術，對陶瓷熟料的切割厚度大為(wèi)減少，更有(yǒu)效防止切割面發生碎裂。