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單層芯片電(diàn)容的幾種類型
發布者 : admin 發布時間 : 2020/06/18 09:06:44



廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)體(tǐ)積小(xiǎo),電(diàn)容量大,良好可(kě)悍性的特點,多(duō)被應用(yòng)于微波集成電(diàn)路中(zhōng),起到隔直、RF旁路、濾波、調諧等作(zuò)用(yòng)。


從結構類型分(fēn)類,單層芯片電(diàn)容可(kě)分(fēn)為(wèi)以下幾種類型:


一、電(diàn)極全覆蓋型:在産(chǎn)品設計過程中(zhōng),兩面電(diàn)極為(wèi)相同面積能(néng)提供最大電(diàn)容值。該設計便于客戶在使用(yòng)過程中(zhōng),更好地匹配電(diàn)容寬度與線(xiàn)路闆導體(tǐ)線(xiàn)寬。


二、電(diàn)極留邊型:在産(chǎn)品一端電(diàn)極或兩端電(diàn)極的邊緣留邊。這種留邊量設計,可(kě)以在裝(zhuāng)配過程中(zhōng)降低短路的可(kě)能(néng)性。


三、多(duō)片陣列型:将多(duō)個芯片電(diàn)容組合為(wèi)一體(tǐ),可(kě)以節省裝(zhuāng)配過程中(zhōng)的安(ān)裝(zhuāng)空間和安(ān)裝(zhuāng)成本。


四、二進制可(kě)調型:芯片電(diàn)容中(zhōng)的多(duō)個電(diàn)容具(jù)有(yǒu)二進制關系,便于客戶進行線(xiàn)路調試。


五、雙片串聯型:兩個電(diàn)容串聯結構,共面波導,省略搭線(xiàn)連接,可(kě)提高諧振頻率。


根據芯片電(diàn)容瓷介材料分(fēn)類,可(kě)以分(fēn)為(wèi)以下幾種:


Ⅰ類瓷介:材料介電(diàn)常數較小(xiǎo),其特點是電(diàn)容量随溫度變化率小(xiǎo),産(chǎn)品電(diàn)容量随溫度呈線(xiàn)性變化,電(diàn)氣性能(néng)穩定,常用(yòng)于對穩定性、可(kě)靠性要求較高的高頻、超高頻的微波電(diàn)路中(zhōng)。


Ⅱ類瓷介:材料介電(diàn)常數較大,在規定溫度範圍内電(diàn)容量變化率較大,産(chǎn)品電(diàn)容量随溫度呈非線(xiàn)性變化,适用(yòng)于隔直、耦合、旁路和濾波電(diàn)路及對可(kě)靠性要求較高的中(zhōng)、低頻場合。


Ⅲ類瓷介:材料介電(diàn)常數通常大于10,000,屬于晶界層結構,産(chǎn)品電(diàn)容量随溫度呈非線(xiàn)性變化,常用(yòng)于旁路和濾波電(diàn)路。由于介電(diàn)常數大,可(kě)實現高容體(tǐ)比。


廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)尺寸小(xiǎo)、厚度薄(厚度一般為(wèi)0.15~0.5mm)、等效串聯低、耗損低等特點,應用(yòng)頻率可(kě)達數GHz,适用(yòng)于小(xiǎo)型、微波的場合,被廣泛應用(yòng)于微波通訊線(xiàn)路、光收發器以及信号發生器等設備中(zhōng)。






參考數據:


微信公(gōng)衆号 宏科(kē)電(diàn)子技(jì )術社區(qū) 《一文(wén)了解單層芯片瓷介電(diàn)容器》


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