SLC單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)尺寸小(xiǎo)、厚度薄（厚度一般為(wèi)0.15~0.5mm）、等效串聯低、損耗低等優點，應用(yòng)頻率可(kě)達數GHz，适用(yòng)于小(xiǎo)型、微波的場合，可(kě)應用(yòng)于微波集成電(diàn)路中(zhōng)，起到隔直、RF旁路、濾波、調諧等作(zuò)用(yòng)。單層芯片電(diàn)容的底面多(duō)數采用(yòng)焊接或者粘接的方式進行安(ān)裝(zhuāng)，而其表面則多(duō)數采用(yòng)鍵合的形式進行安(ān)裝(zhuāng)。芯片電(diàn)容的安(ān)裝(zhuāng)方式有(yǒu)以下幾種：

一、産(chǎn)品底面電(diàn)極安(ān)裝(zhuāng)，推薦采用(yòng)共晶、環氧樹脂導電(diàn)膠或焊料與電(diàn)路闆線(xiàn)路連接。

共晶：采用(yòng)AuSn（80/20）（熔點280℃）或相近類型焊料進行共晶焊接。産(chǎn)品焊接前應在125℃的惰性氣體(tǐ)保護下進行預熱。焊片通常采用(yòng)厚度為(wèi)25um、大小(xiǎo)為(wèi)芯片電(diàn)容面積的1/2的尺寸規格。

環氧樹脂導電(diàn)膠：滴下适量的環氧樹脂導電(diàn)膠以保證良好的電(diàn)性能(néng)連接并無空洞産(chǎn)生。

二、産(chǎn)品表面電(diàn)極安(ān)裝(zhuāng)，推薦采用(yòng)引線(xiàn)鍵合工(gōng)藝進行安(ān)裝(zhuāng)，鍵合方法推薦采用(yòng)熱超聲球形焊接法或者楔焊法。

随着單層芯片電(diàn)容在電(diàn)子行業中(zhōng)的需求日益增加，其發展方向如下：

一、大容量化

為(wèi)了滿足元器件日益小(xiǎo)型化的需求，單層芯片電(diàn)容也應迎合小(xiǎo)尺寸、大容量的要求。單層芯片電(diàn)容的外形尺寸基本确定後，需要更大的容值就需要瓷介材料有(yǒu)更大的介電(diàn)常數。目前，三類瓷介一般能(néng)達到30000~40000的介電(diàn)常數，後期會往更高介電(diàn)常數發展（50000~60000）。

二、集成化

随着通信技(jì )術的不斷發展，在超小(xiǎo)型化、高集成化、高頻化不斷發展的動力推動下，将多(duō)種元器件集合為(wèi)一體(tǐ)的多(duō)功能(néng)複合式電(diàn)容器正成為(wèi)技(jì )術研究熱點。将薄膜金終端的芯片電(diàn)容和薄膜電(diàn)阻集成在一起，可(kě)以減少在裝(zhuāng)配環節的鍵合次數，降低生産(chǎn)成本。

三、高壓化

随着T/R組件發展，氮化镓在芯片線(xiàn)路中(zhōng)的應用(yòng)越來越多(duō)，組件向中(zhōng)高電(diàn)壓、大功率發展。其中(zhōng)，電(diàn)壓由現在的10V~30V提高至50V~100V，射頻信号帶來的沖擊電(diàn)壓可(kě)達到160V，單層芯片電(diàn)容也需要向更高電(diàn)壓發展，适應T/R組件的發展。

廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的SLC單層芯片電(diàn)容，采用(yòng)先進的半導體(tǐ)制程，利用(yòng)單層芯片電(diàn)容加工(gōng)工(gōng)藝技(jì )術，實現了芯片電(diàn)容生産(chǎn)的高精(jīng)度、批量化、高可(kě)靠。

參考數據：

微信公(gōng)衆号 宏科(kē)電(diàn)子技(jì )術社區(qū) 《一文(wén)了解單層芯片瓷介電(diàn)容器》