在電(diàn)子線(xiàn)路中(zhōng)，芯片電(diàn)容用(yòng)來通過交流而阻隔直流，也用(yòng)來存儲和釋放電(diàn)荷以充當濾波器，平滑輸出脈動信号。廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的芯片電(diàn)容，具(jù)有(yǒu)尺寸小(xiǎo)、厚度薄（厚度一般為(wèi)0.15~0.5mm）、損耗低等優點，可(kě)根據客戶的要求定制不同的尺寸及參數。
今天，愛晟電(diàn)子介紹一種使單層芯片電(diàn)容（SLC）具(jù)有(yǒu)較高電(diàn)容值的方法。通過這種方法制備的芯片電(diàn)容，由燒制的陶瓷介電(diàn)質(zhì)組成，陶瓷介電(diàn)質(zhì)經過固化後，在其每側塗覆有(yǒu)導電(diàn)金屬。然後，将陶瓷介電(diàn)質(zhì)切成單個電(diàn)容，并将帶有(yǒu)導電(diàn)塗層的陶瓷封裝(zhuāng)在絕緣材料中(zhōng)。
目前，大多(duō)數制備芯片電(diàn)容的方法都會存在一個通病，就是由于陶瓷介電(diàn)質(zhì)厚度的限制，使電(diàn)容值有(yǒu)限。因此，陶瓷電(diàn)介質(zhì)必須有(yǒu)足夠的厚度，使其具(jù)有(yǒu)所需的物(wù)理(lǐ)強度，以處理(lǐ)處于生坯狀态和處于燒制狀态的電(diàn)介質(zhì)，同時還要有(yǒu)足夠的厚度，使其在燒制陶瓷生坯時不會過度翹曲。
利用(yòng)這個制備方法生産(chǎn)出來的單層芯片電(diàn)容，其電(diàn)極之間的陶瓷間隔非常薄，并允許多(duō)個電(diàn)容備置于一個陶瓷生柸上，以減少電(diàn)容電(diàn)極之間洩漏的可(kě)能(néng)性。
這種芯片電(diàn)容的制備方法，在給定尺寸的情況下使電(diàn)容器的電(diàn)容值大大增加。這種制備方法還允許在一個體(tǐ)内使用(yòng)多(duō)個單層芯片電(diàn)容，以便包括多(duō)個不同電(diàn)容的單個電(diàn)容器結構可(kě)以連接在一個電(diàn)路中(zhōng)。一個列或行，甚至兩個或三個電(diàn)容器可(kě)以留在一個組成帶上，和電(diàn)容連接在一個單獨的電(diàn)路。另外，一些電(diàn)容器可(kě)以單獨連接，而另一些則将其導線(xiàn)并聯以增加電(diàn)容。
參考信息：
US3882059 METHOD OF MAKING CERAMIC CAPACTOR
Inventor: Gilbert J. Elderbaum, Clinton, Conn.
Assignee: Technical Ceramics, Inc., Clinton, Conn.
Filed: May 11, 1973
Appl. No.: 359,229
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Primary Examiner-E. A. Goldberg
Attorney, Agent, or Firn-DeLio and Montgomery
