芯片電(diàn)容是電(diàn)路中(zhōng)最基本的元件之一，有(yǒu)着重要而廣泛的應用(yòng)。按芯片電(diàn)容的應用(yòng)來分(fēn)類，電(diàn)容基本上可(kě)分(fēn)為(wèi)四種類型：交流耦合，阻斷直流僅讓信号成分(fēn)（交流電(diàn)流）通過；去耦，對頻率高的噪聲成份起到旁路作(zuò)用(yòng)，去耦芯片電(diàn)容也被稱作(zuò)旁路電(diàn)容器；無源和有(yǒu)源的RC選頻和濾波網絡；采樣保持電(diàn)路（捕獲和儲存電(diàn)荷）和模拟積分(fēn)器。

現在，高速和高密度已經成為(wèi)當今電(diàn)子産(chǎn)品重要的發展趨勢之一。對芯片電(diàn)容而言，最基本的要求是高頻性能(néng)優秀且所占用(yòng)的空間小(xiǎo)。在各類片式電(diàn)容器各類中(zhōng)，用(yòng)于彩電(diàn)、收錄機等的片式電(diàn)容，其低頻特征尚可(kě)，但在用(yòng)于800MHZ以上的工(gōng)作(zuò)頻率時，其微波損耗較大。在2GHZ以上頻率工(gōng)作(zuò)時，其頻率溫度漂移将嚴重影響電(diàn)路的穩定性。有(yǒu)些由多(duō)層獨石陶瓷介質(zhì)疊合而組成的多(duō)層電(diàn)容，在較高頻率工(gōng)作(zuò)時，還會引起附加的電(diàn)感過大，從而影響電(diàn)路的性能(néng)。由此，應運而生了微波單層陶瓷芯片電(diàn)容，其自諧振頻率有(yǒu)的已經高達十幾甚至幾十個GHZ。

微波單層陶瓷芯片電(diàn)容一般被廣泛應用(yòng)在微波集成電(diàn)路中(zhōng)，電(diàn)極層通常以钛化鎢做金屬基底層。因為(wèi)其對陶瓷有(yǒu)極強的附着力及良好的阻擋性能(néng)，以防止金擴散到陶瓷上，提高了芯片電(diàn)容的耐溫性能(néng)。同時，利用(yòng)薄膜技(jì )術鍍金，為(wèi)芯片電(diàn)容提供了良好的焊接點及電(diàn)氣性能(néng)。微波單層陶瓷芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)尺寸小(xiǎo)、厚度薄、等效串聯電(diàn)阻低、損耗低的優點，應用(yòng)頻率可(kě)達數GHZ,适用(yòng)于小(xiǎo)型、微波的場合，還可(kě)應用(yòng)于微波集成電(diàn)路中(zhōng)，起到隔直、RF旁路、濾波、調諧等作(zuò)用(yòng)。

廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司使用(yòng)的芯片電(diàn)容陶瓷基片為(wèi)自已研制、設計和生産(chǎn)，可(kě)以為(wèi)客戶提供任意面積和厚度的芯片電(diàn)容産(chǎn)品。