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技(jì )術支持
單層芯片電(diàn)容
發布者 : admin 發布時間 : 2019/06/06 08:06:26



廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)體(tǐ)積小(xiǎo),電(diàn)容量大,良好可(kě)悍性的特點,多(duō)被應用(yòng)于微波集成電(diàn)路中(zhōng),起到隔直、RF旁路、濾波、調諧等作(zuò)用(yòng)。今天,我們為(wèi)大家一種适合表面貼裝(zhuāng)的單層芯片電(diàn)容

 

這款單層芯片電(diàn)容有(yǒu)良好的結構強度,使生産(chǎn)過程變得更簡單,降低生産(chǎn)成本,并且可(kě)以利用(yòng)薄介電(diàn)層去提供高電(diàn)容量。這款用(yòng)于表面貼裝(zhuāng)的芯片電(diàn)容,具(jù)有(yǒu)高結構強度,是将綠色陶瓷介電(diàn)材料和陶瓷/金屬複合材料層壓在一起,切割成單獨的芯片後燒結而成。電(diàn)容所使用(yòng)的複合材料包含了足夠使其産(chǎn)生導電(diàn)功能(néng)的金屬量,從而使複合材料可(kě)以被用(yòng)于一個或兩個電(diàn)極,并用(yòng)于安(ān)裝(zhuāng)電(diàn)容器到PC闆上。或者,電(diàn)容所使用(yòng)的複合材料沒含有(yǒu)足夠使其産(chǎn)生導電(diàn)功能(néng)的金屬量,但足以使其作(zuò)為(wèi)電(diàn)鍍過程的種子點。則在複合材料上塗覆導電(diàn)金屬,然後安(ān)裝(zhuāng)在PC闆上,覆蓋塗層的複合材料提供了與内部電(diàn)極的電(diàn)氣連接,幫助芯片電(diàn)容的表面貼裝(zhuāng)。

 

單層芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)非常有(yǒu)用(yòng)的形狀因數,可(kě)用(yòng)于組裝(zhuāng)成微波頻率和類似的電(diàn)路。這些電(diàn)路可(kě)以裝(zhuāng)置在印刷電(diàn)路闆上,也可(kě)以被裝(zhuāng)置于芯片載體(tǐ)内的集成電(diàn)路中(zhōng),陶瓷電(diàn)容器的尺寸可(kě)與PC闆或帶有(yǒu)IC的芯片載體(tǐ)上的帶狀線(xiàn)寬度相匹配。在裝(zhuāng)配時,芯片電(diàn)容的底面通常是被焊接或用(yòng)導電(diàn)環氧樹脂連接到印刷電(diàn)路闆基闆的表面上。芯片電(diàn)容的上表面通常呈現一個或多(duō)個導電(diàn)墊,這些導電(diàn)墊通常是利用(yòng)帶狀邦定或電(diàn)線(xiàn)邦定到另一個電(diàn)路連接點。

 

此外, 通過将芯片電(diàn)容的胚體(tǐ)部分(fēn)組裝(zhuāng), 并将其混合燒結, 得到一個沒有(yǒu)預成型的部件,它不包含環氧樹脂、膠水、焊料或附件裝(zhuāng)置。因此,進一步為(wèi)芯片電(diàn)容提供高結構完整性,簡化了制造過程,同時允許單層芯片電(diàn)容進一步小(xiǎo)型化。Green-state方法進一步提供了靈活性,允許根據客人的需要獲取更大範圍的電(diàn)容值。

 

參考數據:

 

Inventors: Alan Devoe,La Jolla,CAUS);

Lambert Devoe,San Diego,CAUS);

Hung Trinh, San Diego,(US)

 

Correspondence Address:

WOOD, HERRON & EVANS, LLP

2700 CAREW TOWER

441 VINE STREET

CINCINNATI, OH 45202 US)

 

Assignee:Presidio Components, Inc.

Appl. No.:10/963,231

Filed:Oct.12, 2004

Related U.S. Application Data

 

Division of application No. 10/694,125, filed on Oct.27, 2003, now Pat. No. 6,822,847, which is a continuation of application No. 10/188,696, filed on Jul.2, 2002, now Pat. No. 6,661,639.

 

Publication Classification

Int. Cl.7 ......................................... H01G 4/005

U. S. Cl. ......................................... 361/311


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