衆所周知，陶瓷電(diàn)容的電(diàn)容值随電(diàn)容電(diàn)極表面面積、電(diàn)極間距以及介電(diàn)常數等因素的變化而變化，電(diàn)容可(kě)以通過減小(xiǎo)電(diàn)極間的間距來增加。然而，陶瓷電(diàn)容有(yǒu)一個常見的問題是當陶瓷坯片或坯條的厚度降低到0.001英寸以下時，在處理(lǐ)過程中(zhōng)容易出現問題。極薄陶瓷胚片在燒制時，邊緣會迅速扭曲變形。由于極薄陶瓷胚片薄膜有(yǒu)撕裂和折疊的傾向，所以将薄膜從陶瓷胚片上剝離是一項困難而精(jīng)細的操作(zuò)。今天，我們介紹一種陶瓷電(diàn)容的制作(zuò)和改進方法，該方法是利用(yòng)極薄的陶瓷介質(zhì)去制作(zuò)陶瓷電(diàn)容，并通過較薄的介電(diàn)分(fēn)離來增加電(diàn)容的電(diàn)容量。

簡單地說，這個方法包括在一個釋放表面上起決定性作(zuò)用(yòng)的第一電(diàn)極，在該釋放表面澆鑄一層非常薄的陶瓷膜；在形成陶瓷薄膜後，在其頂端或另一側塗覆第二電(diàn)極，然後在鑄膜頂部放置較厚的陶瓷體(tǐ)，并施加足夠的壓力，在一定程度上鞏固陶瓷電(diàn)容，并從釋放表面取出。如果需要單層芯片電(diàn)容，則外露的第二電(diàn)極被覆蓋條覆蓋。如果需要多(duō)層芯片電(diàn)容，則可(kě)以将電(diàn)極和陶瓷體(tǐ)堆疊到适合的厚度。然後，則可(kě)進行組合層壓，然後切割得到單個陶瓷電(diàn)容，或者沿着電(diàn)極表面的邊緣進行刻痕，以便之後将芯片電(diàn)容從多(duō)個點火組件中(zhōng)分(fēn)離出來。

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