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技(jì )術支持
打線(xiàn)門極電(diàn)阻,推動碳化矽模塊高效運行
發布者 : admin 發布時間 : 2024/09/25 09:09:51


近年來,新(xīn)能(néng)源汽車(chē)産(chǎn)業的崛起帶動了高效能(néng)碳化矽模塊的持續發展,如何使模塊保持卓越的功率密度、開關損耗亦逐漸成為(wèi)新(xīn)能(néng)源領域的研究熱點。在碳化矽模塊中(zhōng),源極電(diàn)感對其開關速度及損耗均有(yǒu)影響,因此要通過打線(xiàn)門極電(diàn)阻與其它組件協同合作(zuò),有(yǒu)效消除碳化矽模塊的源極電(diàn)感效應。

在碳化矽模塊的設計方案中(zhōng),打線(xiàn)門極電(diàn)阻會被集成到碳化矽模塊内部,結合其它組件降低模塊的開關損耗,提升模塊的電(diàn)流傳輸能(néng)力和功率密度。具(jù)體(tǐ)地:

一、消除源極電(diàn)感效應

源極電(diàn)感會導緻開關過程中(zhōng)産(chǎn)生電(diàn)壓過沖和電(diàn)流振蕩,從而影響碳化矽模塊的效率和穩定性。模塊布局安(ān)裝(zhuāng)時采用(yòng)門極電(diàn)阻,通過邦定工(gōng)藝分(fēn)别與碳化矽芯片和栅極控制區(qū)進行電(diàn)連接,能(néng)夠消除源極電(diàn)感效應。

二、提高碳化矽模塊的電(diàn)流傳輸能(néng)力和功率密度

打線(xiàn)門極電(diàn)阻與其它組件的設置布局使得碳化矽模塊能(néng)夠充分(fēn)利用(yòng)襯底空間,提高襯底利用(yòng)率。該布局不僅減小(xiǎo)了栅極驅動回路的導電(diàn)區(qū)面積,還為(wèi)更多(duō)碳化矽芯片的布置提供了空間,進而提高了模塊的電(diàn)流傳輸能(néng)力和功率密度。

總的來說,廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司自主研發、生産(chǎn)的打線(xiàn)門極電(diàn)阻作(zuò)為(wèi)碳化矽模塊關鍵元器件之一,能(néng)夠顯著推動碳化矽模塊的高效運行。其耐受長(cháng)時間高溫焊接,使自身能(néng)适應各種高溫惡劣的應用(yòng)場景。而其高精(jīng)度的特點,可(kě)幫助模塊保持工(gōng)作(zuò)的精(jīng)準性。且打線(xiàn)門極電(diàn)阻擁有(yǒu)水平導通與垂直導通兩種封裝(zhuāng)方式,為(wèi)客戶在碳化矽模塊設計安(ān)裝(zhuāng)時提供不同選擇。

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