近年來，在國(guó)家相關政策支持下，應用(yòng)于新(xīn)能(néng)源領域的功率模塊迎來了增長(cháng)新(xīn)契機。而SiC碳化矽模塊以其卓越性能(néng)，成為(wèi)新(xīn)能(néng)源核心賽道的“佼佼者”。碳化矽模塊的性能(néng)提升對于新(xīn)能(néng)源熱管理(lǐ)優化至關重要，而廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司研發、量産(chǎn)的打線(xiàn)門極電(diàn)阻，在碳化矽模塊性能(néng)升級過程中(zhōng)的作(zuò)用(yòng)不可(kě)或缺。

相較于傳統的功率模塊，SiC碳化矽模塊憑借其寬禁帶在高頻率、高電(diàn)流、高溫、高壓等工(gōng)作(zuò)環境中(zhōng)展現出高擊穿場強、低功率損耗、高開關頻率等優越性能(néng)。由于新(xīn)能(néng)源對于功率模塊有(yǒu)着更高的性能(néng)要求，打線(xiàn)門極電(diàn)阻能(néng)夠幫助碳化矽模塊提高工(gōng)作(zuò)效率，迎合行業需求。其主要優勢在于：

一、低電(diàn)阻溫度系數（TCR，Temperature Coefficient Of Electric Resistance）：這意味着在溫度波動環境下，打線(xiàn)門極電(diàn)阻的電(diàn)阻值受溫度影響小(xiǎo)，這對于需要穩定運行的碳化矽模塊尤為(wèi)重要；

二、高精(jīng)度：打線(xiàn)門極電(diàn)阻的精(jīng)度可(kě)達1%，有(yǒu)助于提升碳化矽模塊運行時的精(jīng)确度；

三、高穩定：打線(xiàn)門極電(diàn)阻在高溫環境下的老化漂移率低，保證了碳化矽模塊長(cháng)期工(gōng)作(zuò)的高可(kě)靠。

具(jù)體(tǐ)地，打線(xiàn)門極電(diàn)阻在碳化矽模塊中(zhōng)通過邦定工(gōng)藝與SiC芯片進行電(diàn)連接，有(yǒu)效消除導通時源極電(diàn)感對栅極電(diàn)壓的影響，碳化矽模塊不會因此降低開關導通速度，從而可(kě)減少導通損耗。且門極電(diàn)阻尺寸小(xiǎo)，在模塊設計布局中(zhōng)能(néng)夠提高空間利用(yòng)率，使功率密度更高。打線(xiàn)門極電(diàn)阻憑借其出色的産(chǎn)品特性，為(wèi)碳化矽模塊的設計和性能(néng)優化提供了有(yǒu)力的支持。