IGBT模塊憑借其低傳導損耗與低導通電(diàn)阻，成為(wèi)新(xīn)能(néng)源汽車(chē)電(diàn)控模塊中(zhōng)不可(kě)或缺的核心部件。而IGBT在開關狀态以及過載狀态下的工(gōng)作(zuò)結溫均很(hěn)高，為(wèi)避免溫度過高影響散熱甚至引緻失效，通常會設置NTC熱敏電(diàn)阻進行溫度監測。

目前常規的新(xīn)能(néng)源汽車(chē)用(yòng)IGBT模塊設計方案中(zhōng)，所使用(yòng)的熱敏電(diàn)阻多(duō)為(wèi)廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的GT-T系列MELF貼片玻封NTC熱敏電(diàn)阻。其優勢在于：

一、靈敏度高，在IGBT工(gōng)作(zuò)過程中(zhōng)可(kě)快速響應進行實時溫度監測；

二、玻璃封裝(zhuāng)，可(kě)耐受IGBT的高溫工(gōng)作(zuò)環境；

三、無引線(xiàn)結構，便于自動化表面貼裝(zhuāng)。

随着新(xīn)能(néng)源技(jì )術的持續改良，為(wèi)節省電(diàn)路空間成本，使内部設計更加精(jīng)細，比IGBT模塊集成度更高的SiC碳化矽模塊成為(wèi)近年熱門的半導體(tǐ)器件。為(wèi)配合各大廠商(shāng)進行模塊的研發升級，愛晟電(diàn)子推出了一款應用(yòng)于SiC碳化矽模塊的固定電(diàn)阻，其可(kě)在高溫環境下仍能(néng)保持穩定的電(diàn)性能(néng)。除此以外，固定電(diàn)阻還有(yǒu)以下優勢：

一、可(kě)用(yòng)于邦定，适合IGBT、SiC碳化矽、GaN氮化镓等功率模塊；

二、穩定性優異，可(kě)幫助SiC碳化矽模塊提高系統可(kě)靠性；

三、尺寸小(xiǎo)，在優化安(ān)裝(zhuāng)空間的同時有(yǒu)助于降本增效；

四、良好耐候性，降低惡劣環境對于固定電(diàn)阻的影響，有(yǒu)效保護SiC碳化矽模塊的工(gōng)作(zuò)免受環境因素幹擾。