IGBT作(zuò)為(wèi)目前主流的半導體(tǐ)功率器件，被廣泛應用(yòng)于新(xīn)能(néng)源汽車(chē)、航天航空、可(kě)再生能(néng)源等領域。在實際應用(yòng)中(zhōng)，IGBT模塊的工(gōng)作(zuò)環境幾乎都處于高溫狀态，因此大部分(fēn)模塊都會采用(yòng)NTC熱敏電(diàn)阻進行溫度保護及溫度監測，以防過溫導緻IGBT模塊的失效。

考慮到IGBT模塊長(cháng)時間且高溫的工(gōng)作(zuò)環境，一般選取MELF貼片玻封NTC熱敏電(diàn)阻（工(gōng)作(zuò)溫度範圍：-40℃~250℃），以保證IGBT内部結溫監測工(gōng)作(zuò)的順利開展。除此之外，在IGBT模塊中(zhōng)應用(yòng)MELF貼片玻封NTC熱敏電(diàn)阻還有(yǒu)以下優點：

一、IGBT模塊内部布局較緊湊，無引線(xiàn)結構能(néng)更好地配合IGBT内部其它元器件的安(ān)裝(zhuāng)；

二、片式結構使MELF貼片玻封NTC熱敏電(diàn)阻盡可(kě)能(néng)地靠近被測器件，可(kě)确保測溫過程的高精(jīng)準度；

三、玻璃封裝(zhuāng)的防潮性能(néng)相較于其它封裝(zhuāng)方式更好，在IGBT高溫高濕的工(gōng)作(zuò)環境也能(néng)發揮熱敏電(diàn)阻優良的負溫度特性。

随着功率器件研發技(jì )術的日趨成熟以及應用(yòng)場景的不斷拓寬，比IGBT模塊技(jì )術性能(néng)更優越的SiC碳化矽模塊應運而生。SiC碳化矽模塊之所以比IGBT模塊更受青睐，是因為(wèi)其開關頻率更高、開關損耗更低、熱力性能(néng)更好，顯著提升的産(chǎn)品應用(yòng)的工(gōng)作(zuò)效率。為(wèi)配合制造廠商(shāng)進行模塊更新(xīn)換代，廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司推出了自主研發的新(xīn)産(chǎn)品——門極電(diàn)阻。其分(fēn)為(wèi)垂直式以及水平式，可(kě)實現垂直導通和水平導通兩種結構，相較于MELF貼片玻封NTC熱敏電(diàn)阻，安(ān)裝(zhuāng)位置的選擇更靈活。固定電(diàn)阻還擁有(yǒu)良好的穩定性，使SiC碳化矽模塊中(zhōng)的實時結溫數據獲取過程能(néng)更平穩。