SLC單層芯片電(diàn)容是由陶瓷介質(zhì)及金屬電(diàn)極兩種材料構成，廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的單層芯片電(diàn)容，主要應用(yòng)于微波集成電(diàn)路、光通訊等，起隔直流、源旁路、阻抗匹配等作(zuò)用(yòng)。在芯片電(diàn)容工(gōng)作(zuò)過程中(zhōng)，或受外因或受内因，會導緻失效的情況出現，一般會有(yǒu)以下三種失效形式：

一、熱擊失效

在芯片電(diàn)容制造過程中(zhōng)，使用(yòng)各種兼容材料會導緻内部出現張力的不同熱膨脹系數及導熱率，當溫度轉變率過大時就容易出現因熱擊而破裂的現象。而熱擊失效則可(kě)能(néng)造成多(duō)種現象：

（1）顯而易見的形如指甲狀或U形裂縫

（2）隐藏在内的微小(xiǎo)裂縫

兩者的區(qū)别在于後者所受的張力較小(xiǎo)，而引緻的裂縫也較輕微。第一種引起的破裂明顯，一般可(kě)以在金相顯微鏡中(zhōng)測出，第二種隻有(yǒu)在發展到一定程度後金相顯微鏡才可(kě)測出。

二、破裂失效

（1）SMT階段導緻的破裂失效

在SMT階段時，取放單層芯片電(diàn)容的機械爪可(kě)能(néng)會因為(wèi)磨損、對位不準确、傾斜等，導緻芯片電(diàn)容破裂。這些破裂現象一般為(wèi)可(kě)見的表面裂縫；表面破裂一般會沿着最強的壓力線(xiàn)及陶瓷位移的方向。

（2）SMT之後生産(chǎn)階段導緻的破裂失效

電(diàn)路闆切割﹑測試﹑背面組件和連接器安(ān)裝(zhuāng)以及最後組裝(zhuāng)時，若焊錫組件受到扭曲或在焊錫過程後把電(diàn)路闆拉直，都有(yǒu)可(kě)能(néng)造成損壞。

三、原材失效

芯片電(diàn)容通常具(jù)有(yǒu)兩種足以損害産(chǎn)品可(kě)靠性的基本可(kě)見内部缺陷：

（1）電(diàn)極間失效及結合線(xiàn)破裂

電(diàn)極間失效及結合線(xiàn)破裂主要由陶瓷的高空隙，或電(diàn)介質(zhì)層與相對電(diàn)極間存在的空隙引起，使電(diàn)極間電(diàn)介質(zhì)層裂開，成為(wèi)潛伏性的漏電(diàn)危機。

（2）燃燒破裂

燃燒破裂的特性與電(diàn)極垂直，且一般源自電(diàn)極邊緣或終端；若顯示出破裂是垂直的，則是由燃燒所引起。

參考數據：

面包闆社區(qū)《【幹貨】深度解析MLCC電(diàn)容失效原因》