芯片電(diàn)容是電(diàn)路中(zhōng)三大被動電(diàn)子元器件之一，是一種可(kě)以儲存一定電(diàn)荷量的元器件，廣泛運用(yòng)在電(diàn)路中(zhōng)的耦合、旁路、濾波等方面。被動元件是指不需要内部電(diàn)源，隻需外部信号輸入即可(kě)做出響應的元器件。芯片電(diàn)容與熱敏電(diàn)阻、電(diàn)感器作(zuò)為(wèi)電(diàn)子線(xiàn)路中(zhōng)的三大被動電(diàn)子元器件，是必不可(kě)少的基礎電(diàn)子元件。

為(wèi)了增大芯片電(diàn)容的電(diàn)容量，可(kě)以采用(yòng)介電(diàn)常數較大的介質(zhì)，如陶瓷、雲母、玻璃等；也可(kě)以增大兩極的相對面積，如類似片式多(duō)層瓷介電(diàn)容器（MLCC），将多(duō)個平行闆層疊起來，或類似多(duō)數鋁電(diàn)解電(diàn)容器，将一整塊大面積平闆卷起來；還可(kě)以盡量減小(xiǎo)兩極間垂直距離，如使用(yòng)金屬氧化膜作(zuò)為(wèi)介質(zhì)。

根據介質(zhì)材料的不同，電(diàn)容器可(kě)分(fēn)為(wèi)陶瓷芯片電(diàn)容器、鋁電(diàn)解電(diàn)容器、钽電(diàn)解電(diàn)容器、薄膜電(diàn)容器四大類。其中(zhōng)，陶瓷電(diàn)容器可(kě)分(fēn)為(wèi)單層陶瓷芯片電(diàn)容、片式多(duō)層瓷介電(diàn)容器（MLCC）以及引線(xiàn)式多(duō)層瓷介電(diàn)容器。單層陶瓷芯片電(diàn)容是在陶瓷基片兩面印塗金屬層後，經低溫燒結形成電(diàn)極，或者使用(yòng)真空濺射加電(diàn)鍍金屬層的方式形成電(diàn)極。廣東愛晟電(diàn)子科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司生産(chǎn)的單層陶瓷芯片電(diàn)容具(jù)有(yǒu)尺寸小(xiǎo)、厚度薄（厚度一般為(wèi)0.15-0.5mm），等效串聯電(diàn)阻低、損耗低的優點，應用(yòng)頻率可(kě)達數GHZ,适用(yòng)于小(xiǎo)型、微波的場合，主要運用(yòng)于相控陣雷達、5G通訊等下遊領域。

片式多(duō)層瓷介電(diàn)容器（MLCC）則是首先在陶瓷介質(zhì)膜片上印刷内電(diàn)極，再将多(duō)層膜片以錯位方式進行疊合，層壓和切割後經過一次性高溫燒結，在芯片兩端封上金屬層；片式多(duō)層瓷介電(diàn)容器（MLCC）與電(diàn)路的連接隻需在其與電(diàn)路闆之間塗抹導電(diàn)性粘合劑并進行燒結。

從芯片電(diàn)容的主要性能(néng)指标來看，芯片電(diàn)容的應用(yòng)電(diàn)壓和電(diàn)容值範圍較廣，同時由于其體(tǐ)積小(xiǎo)、價格低，它被廣泛應用(yòng)于消費電(diàn)子領域和工(gōng)業領域，在四類主要電(diàn)容器當中(zhōng)市場份額占比最高，達到43%。