芯片電(diàn)容—單層陶瓷電(diàn)容具(jù)有(yǒu)尺寸小(xiǎo)、厚度薄等效串聯電(diàn)阻低、損耗低的優點，應用(yòng)頻率可(kě)達數GHZ，适用(yòng)于小(xiǎo)型、微波的場合，廣泛應用(yòng)于微波通訊線(xiàn)路，微波功率放大器以及微波集成電(diàn)路中(zhōng)，起到隔直通交、RF旁路、 濾波、調諧等作(zuò)用(yòng)。

芯片電(diàn)容的産(chǎn)品結構如下（圖1），目前主要采用(yòng)流延法、軋膜法制備陶瓷基片。通過磁控濺射、光刻和電(diàn)鍍方法制備外電(diàn)極，最後通過精(jīng)密切割技(jì )術制得不同尺寸的芯片電(diàn)容。

圖1

下面簡要的介紹下芯片電(diàn)容的陶瓷基片的幾種制備方法：

流延法，流延技(jì )術生産(chǎn)效率高，自動化水平高，膜片平整易加工(gōng)，質(zhì)量穩定等優點。流延法是将配制好的瓷漿通過流延設備的注漿口，塗布在環形鋼帶或塑料帶上，從而形成一層均勻的漿料層，其厚度可(kě)由漿料的黏度、注漿口的寬度及鋼帶的走帶速度調節。經過幹燥後形成一定厚度和寬度并具(jù)有(yǒu)一定強度和彈性的緻密的陶瓷基片，可(kě)以很(hěn)方便地進行加工(gōng)，流延出的瓷膜平整，光潔度高，常見厚度在1-60um之間。

軋膜法：軋膜法通常在軋膜機上進行，軋膜機由兩個滾筒組成，滾筒的表面經過鍍鉻拋光，以保證軋出的薄膜具(jù)有(yǒu)較高的光潔度。滾筒之間的距離可(kě)以調節，以便控制軋膜的厚度。一般軋膜 過程分(fēn)為(wèi)配料、粗軋和精(jīng)軋幾個工(gōng)序。配料是瓷料粉末和一定的黏合劑、溶劑等配成漿料，以便粗軋。粗軋的目的是将粉料和黏合劑徹底地混合均勻，并獲得一定的厚度的瓷帶以便進行精(jīng)軋。精(jīng)軋時逐步縮小(xiǎo)軋膜機兩個滾筒之間的距離，通過反複多(duō)次軋膜，最終獲得所需厚度的陶瓷膜。采用(yòng)軋膜法能(néng)保證瓷膜緻密、氣孔小(xiǎo)，但瓷膜的厚度難以達到最小(xiǎo)。

兩種方法比較，在同樣燒結工(gōng)藝條件下，軋膜工(gōng)藝得到的陶瓷晶粒較大，導緻軋膜式的ε更大。流延工(gōng)藝制備電(diàn)容器的ε和tanθ均小(xiǎo)些，但其介溫特性差，應用(yòng)時會影響電(diàn)容器的可(kě)靠性。